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FZT857TA
RL-labeled NPN Transistor, FZT857TA, featuring a SOT223 package and specifications of 3.5A current and 300V voltage
Marques: Diodes Incorporated
Pièce Fabricant #: FZT857TA
Fiche de données: FZT857TA Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-223-4
Statut RoHS:
État des stocks: 5 378 pièces, nouveau original
type de produit: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $0,646 | $0,646 |
| 10 | $0,549 | $5,490 |
| 30 | $0,499 | $14,970 |
| 100 | $0,450 | $45,000 |
| 500 | $0,391 | $195,500 |
| 1000 | $0,376 | $376,000 |
En stock: 5 378 PC
FZT857TA Description générale
This versatile transistor is ideal for use in switching and amplification circuits where high current and voltage requirements are a concern. Its compact SOT223 package allows for easy mounting on PCBs, making it suitable for a wide range of applications in industrial and consumer electronics. Whether you need to control a motor, drive a high-power LED, or amplify a signal, the FZT857TA transistor offers the high performance and reliability that you can count on
Caractéristiques
- BVCEO> 300V
- IC = 3.5A High Continuous Collector Current
- ICM = 5A Peak Pulse Current
- Very Low Saturation Voltage VCE(sat) <155mV @ 1A
- RCE(sat) = 87mΩ for a Low Equivalent On-Resistance
- hFE Specified Up to 3A for a High Gain Hold-Up
- Complementary PNP Type: FZT957
- Lead-Free Finish; RoHS compliant (Notes 1 & 2)
- Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
- Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
- PPAP Capable (Note 4)
Application
SWITCHINGCaractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | Bipolar Transistors - BJT | RoHS | Details |
| REACH | Details | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-223-4 | Transistor Polarity | NPN |
| Configuration | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 300 V |
| Collector- Base Voltage VCBO | 350 V | Emitter- Base Voltage VEBO | 7 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | 345 mV | Maximum DC Collector Current | 3.5 A |
| Pd - Power Dissipation | 3 W | Gain Bandwidth Product fT | 80 MHz |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Series | FZT857 | Brand | Diodes Incorporated |
| Continuous Collector Current | 3.5 A | DC Collector/Base Gain hfe Min | 15 at 2 A, 10 V |
| DC Current Gain hFE Max | 100 | Height | 1.65 mm |
| Length | 6.7 mm | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
| Factory Pack Quantity | 1000 | Subcategory | Transistors |
| Technology | Si | Width | 3.7 mm |
| Unit Weight | 0.003951 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FZT857TA is a high-speed switching transistor manufactured by Diodes Incorporated. This NPN bipolar transistor is designed for general-purpose amplifier and switching applications. It features a high current rating, low saturation voltage, and fast switching speeds. The FZT857TA is commonly used in power management systems and electronics circuits where high performance and reliability are required.
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Equivalent
The equivalent products of the FZT857TA chip are the FZT857 and FZT857TA SMD transistors. They are both NPN medium power transistors with a maximum collector current of 1A and a maximum power dissipation of 2W. -
Features
The FZT857TA is a high-performing, NPN silicon transistor designed for general purpose amplification and switching applications. It features a maximum collector current of 3A, a collector-emitter voltage of 120V, and a power dissipation of 2W. It also has a low saturation voltage, fast switching speed, and high current gain. -
Pinout
The FZT857TA is a NPN Darlington transistor with a pin count of three. The pins are Base, Collector, and Emitter. It is commonly used in high current and high voltage applications due to its high current gain and fast switching speed. -
Manufacturer
FZT857TA is a product manufactured by Diodes Incorporated. The company is a leading global manufacturer and supplier of semiconductor products for the consumer electronics, computing, communications, industrial, and automotive markets. They focus on providing innovative solutions for a wide range of applications, including power management, signal processing, and protection products. -
Application Field
FZT857TA is a NPN silicon planar epitaxial transistor used in general-purpose amplifier and switching applications. It is commonly used in audio amplifiers, power supplies, LED drivers, motor drivers, and battery chargers. This transistor offers high current gain, low saturation voltage, and high-speed switching capabilities, making it suitable for a wide range of electronic designs. -
Package
The FZT857TA chip comes in a SOT-223 package type, with a transistor form. Its size is 6.40mm x 7.50mm, suitable for applications requiring medium power linear and switching transistors.
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