Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

Infineon IRF6717MTRPBF

IRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Infineon

Pièce Fabricant #: IRF6717MTRPBF

Fiche de données: IRF6717MTRPBF Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: DirectFET-MX

type de produit: MOSFET

Statut RoHS:

État des stocks: 9458 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Ajouter à la nomenclature

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour IRF6717MTRPBF ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

IRF6717MTRPBF Description générale

IRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer: Infineon Product Category: MOSFET
RoHS: Details Technology: Si
Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: DirectFET-MX
Transistor Polarity: N-Channel Number of Channels: 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 25 V Id - Continuous Drain Current: 220 A
Rds On - Drain-Source Resistance: 1.6 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.8 V Qg - Gate Charge: 46 nC
Minimum Operating Temperature: - 40 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Pd - Power Dissipation: 96 W Channel Mode: Enhancement
Tradename: DirectFET Packaging: MouseReel
Brand: Infineon Technologies Configuration: Single
Height: 0.7 mm Length: 6.35 mm
Product Type: MOSFET Factory Pack Quantity: 4800
Subcategory: MOSFETs Transistor Type: 1 N-Channel
Width: 5.05 mm Unit Weight: 0.017637 oz
Series HEXFET® Product Status Active
FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 38A (Ta), 200A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.25mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.35V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 69 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6750 pF @ 13 V
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 96W (Tc) Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package DIRECTFET™ MX
Package / Case DirectFET™ Isometric MX

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

  • BSZ146N10LS5ATMA1

    BSZ146N10LS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Power Field-Effect Transistor,

  • BSZ096N10LS5ATMA1

    BSZ096N10LS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

  • IRFB4410ZPBF

    IRFB4410ZPBF

    Infineon

    IRFB4410ZPBF - Power Transistor Utilizing Trench T...

  • BSC070N10NS5ATMA1

    BSC070N10NS5ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 80A 8-Pin TDSON EP T/R

  • ISC060N10NM6ATMA1

    ISC060N10NM6ATMA1

    Infineon Technologies Corporation

    Trans MOSFET N-CH 100V 15A 8-Pin TDSON EP T/R

  • IRFH5010TRPBF

    IRFH5010TRPBF

    Infineon Technologies Corporation

    100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a PQF...