Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

IRFS4227TRLPBF 48HRS

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET PDP Switch in a D2-Pak package, D2PAK-3, RoHS

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Infineon Technologies

Pièce Fabricant #: IRFS4227TRLPBF

Fiche de données: IRFS4227TRLPBF Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: TO-263-3,D2PAK(2Leads+Tab),TO-263AB

Statut RoHS:

État des stocks: 5966 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Tarifs

*Tous les prix sont en USD

Qté Prix unitaire Prix ext
1 $1,502 $1,502
10 $1,292 $12,920
30 $1,159 $34,770
100 $1,024 $102,400
500 $0,963 $481,500
800 $0,937 $749,600

In Stock:5966 PCS

- +

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour IRFS4227TRLPBF ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

IRFS4227TRLPBF Description générale

MOSFET, N-CH, 200V, 62A, TO-263AB; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 62A; Drain Source Voltage Vds: 200V; On Resistance Rds(on): 0.022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 5V; Power Dissipation Pd: 330W; Transistor Case Style: TO-263AB; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: HEXFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Caractéristiques

Advanced Process Technology

Key Parameters Optimized for PDP Sustain,

Energy Recovery and Pass Switch Applications

Low EPULSE Rating to Reduce Power

Dissipation in PDP Sustain, Energy Recovery

and Pass Switch Applications

Low QG for Fast Response

High Repetitive Peak Current Capability for

Reliable Operation

Short Fall & Rise Times for Fast Switching

175C Operating Junction Temperature for

Improved Ruggedness

Repetitive Avalanche Capability for Robustness

and Reliability

Application

SWITCHING

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Series HEXFET® Product Status Active
FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 62A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 46A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 98 nC @ 10 V
Vgs (Max) ±30V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4600 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 330W (Tc) Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Supplier Device Package D2PAK
Package / Case TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

  • FDP032N08

    FDP032N08

    Onsemi

    75V 235A N-Ch MOSFET PowerTrench TO220

  • 2SK2225-E

    2SK2225-E

    Renesas

    MOSFET Power Transistor 2SK2225-E: Lead-Free, TO-3...

  • FDP150N10

    FDP150N10

    ON Semiconductor, LLC

    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

  • SCT30N120

    SCT30N120

    Stmicroelectronics

    N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole H

  • FDP8896

    FDP8896

    Onsemi

    The FDP8896 is a 3-pin transistor with N-channel M...

  • FDPF045N10A

    FDPF045N10A

    ON Semiconductor, LLC

    N-Channel 100 V 67A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-...