Commandes de plus de
$5000MGSF1N02LT1G
Low-power control for small signals and sensor
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: MGSF1N02LT1G
Fiche de données: MGSF1N02LT1G Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT23-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 228 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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MGSF1N02LT1G Description générale
With its compact size and impressive performance capabilities, the MGSF1N02LT1G is a versatile component that can enhance the efficiency of power management systems in a range of devices. Its low power loss ensures that energy is conserved, making it an excellent choice for battery-powered products like PCMCIA cards and cordless telephones. Whether used in a commercial or consumer electronics setting, this MOSFET delivers reliable performance and helps to optimize power usage
Caractéristiques
- Compact Design for Space Efficiency
- High Surge Current Capability
- Low Thermal Resistance for Cooling
Application
- Smart Wearable Technology
- Miniature Power Supplies
- Power Optimization Solutions
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Status | Active | Compliance | PbAHP |
Package Type | SOT-23-3 | Case Outline | 318-08 |
MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
Container Type | REEL | Container Qty. | 3000 |
ON Target | N | Channel Polarity | N-Channel |
Configuration | Single | V(BR)DSS Min (V) | 20 |
VGS Max (V) | 20 | VGS(th) Max (V) | 2.4 |
ID Max (A) | 0.35 | PD Max (W) | 0.4 |
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | 130 | RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) | 90 |
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 3.2 | Ciss Typ (pF) | 125 |
Pricing ($/Unit) | $0.1188Sample |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. | |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. | |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. | |
Western union | charge US.00 banking fee. | |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The MGSF1N02LT1G is a power MOSFET transistor designed for switching applications in low voltage circuits. It has a maximum drain-source voltage of 20V, low on-resistance, and a high continuous drain current rating. This chip is ideal for use in portable electronic devices and power management systems.
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Equivalent
Some equivalent products of the MGSF1N02LT1G chip are the MGSF1N02LT1, MGSF1N02CLT1G, and MGSF1N02CLT1. These chips are all N-channel enhancement mode power field-effect transistors designed for use in power management applications. -
Features
MGSF1N02LT1G is a N-Channel MOSFET with a maximum continuous drain current of 1A and a low threshold voltage of 920mV. It has a small SOT-563 surface mount package, making it suitable for space-constrained applications. Its low on-resistance and fast switching speed make it ideal for power management in portable devices. -
Pinout
MGSF1N02LT1G is a Surface Mount Small-Signal MOSFET with a pin count of 3. The function of this device is to provide switching and amplification capabilities in electronic circuits, typically in low-power applications. -
Manufacturer
MGSF1N02LT1G is manufactured by ON Semiconductor, a leading global supplier of energy-efficient semiconductor solutions. ON Semiconductor focuses on power and signal management, discrete, logic, and custom devices for automotive, communications, consumer, industrial, and medical applications. -
Application Field
MGSF1N02LT1G is a low threshold N-channel enhancement mode MOSFET ideal for applications in power management, DC-DC converters, battery management, and load switching. It can also be used in portable devices, laptops, tablets, and LED lighting systems due to its low on-resistance and high current handling capabilities. -
Package
The MGSF1N02LT1G chip is a surface mount SOT-23 package with a form of 3 pins. The size of the chip is 2.9mm x 1.3mm x 1.1mm.
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits