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MJD253T4G
TO-252-3 Package
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: MJD253T4G
Fiche de données: MJD253T4G Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: DPAK-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 440 pièces, nouveau original
type de produit: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $0,380 | $0,380 |
| 10 | $0,287 | $2,870 |
| 30 | $0,248 | $7,440 |
| 100 | $0,198 | $19,800 |
| 500 | $0,176 | $88,000 |
| 1000 | $0,162 | $162,000 |
En stock: 9 440 PC
MJD253T4G Description générale
The MJD253T4G is a PNP silicon plastic power transistor that is designed for surface mount applications. It is capable of handling up to 4A of current and has a breakdown voltage of 100V. This 2-pin transistor is made of silicon and plastic/epoxy materials, making it suitable for a wide range of electronic applications. With its DPAK-3 packaging, it offers easy and secure mounting on circuit boards. Whether used in power supply units, amplifiers, or other electronic devices, the MJD253T4G provides reliable performance and efficient power management
Caractéristiques
- Nominal Operating Junction Temperature: TJ = 150°C
- Maximum Power Rating: Pmax = 0.5 Watts
- Forward Current at Zero Input Voltage: IFZ = 1.2 mA
- Repetitive Peak Forward Current: IPF = 10 A (Min)
- Thermal Shutdown Circuitry: TSC = Yes, 150°C (Max)
- Differential Input Impedance at IF = 10 kHz: ZDIF = 2 kΩ (Typical)
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Status | Active | Compliance | PbAHP |
| Package Type | DPAK-3 | Case Outline | 369C |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 2500 |
| ON Target | N | Polarity | PNP |
| Type | General Purpose | VCE(sat) Max (V) | 0.6 |
| IC Cont. (A) | 4 | VCEO Min (V) | 100 |
| VCBO (V) | 100 | VEBO (V) | 7 |
| VBE(sat) (V) | 1.8 | VBE(on) (V) | 1.5 |
| hFE Min | 40 | hFE Max | 180 |
| fT Min (MHz) | 40 | PTM Max (W) | 12.5 |
| Pricing ($/Unit) | $0.1699 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The MJD253T4G is a powerful NPN Bipolar Power Transistor designed for high-speed switching applications. It has a maximum collector current of 8A and a maximum power dissipation of 25W. This chip is commonly used in motor control, power management, and general switching circuits.
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Equivalent
The equivalent products of MJD253T4G chip are STMicroelectronics MJD253T4 and ON Semiconductor MJG253T4. Both of these chips have similar specifications and are suitable replacements for the MJD253T4G. -
Features
The MJD253T4G is a NPN bipolar transistor that can handle up to 8A of current and 100V of voltage. It has a low saturation voltage and high current gain, making it ideal for high-power applications. It is housed in a DPAK package for easy mounting and heat dissipation. -
Pinout
The MJD253T4G is a NPN Darlington transistor with a TO-252 package. It has 3 pins: collector, emitter, and base. The collector current is 10A, with a voltage rating of 60V. The MJD253T4G is commonly used in power switching applications. -
Manufacturer
The MJD253T4G is manufactured by ON Semiconductor. ON Semiconductor is a multinational corporation that designs and manufactures energy-efficient semiconductor solutions. They provide a wide range of products including power management, signal processing, and automotive components to various industries worldwide. -
Application Field
The MJD253T4G is a power transistor commonly used in automotive applications for switching and amplification tasks. It can also be found in industrial and consumer electronic devices where high power switching capabilities are required, such as motor control, power supplies, and LED lighting. -
Package
The MJD253T4G chip comes in a TO-252 package type, a transistor form, and a size of 6.6mm x 6.1mm x 6.5mm.
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