Les images sont à titre de référence uniquement. Voir les spécifications du produit
Commandes de plus de
$5000
MJE210G
Bipolar (BJT) Transistor PNP 40 V 5 A 65MHz 15 W Through Hole TO-126
Marques: onsemi
Pièce Fabricant #: MJE210G
Fiche de données: MJE210G Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-225-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single Bipolar Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $0,534 | $0,534 |
| 10 | $0,442 | $4,420 |
| 30 | $0,398 | $11,940 |
| 100 | $0,354 | $35,400 |
| 500 | $0,327 | $163,500 |
| 1000 | $0,312 | $312,000 |
En stock: 9 458 PC
MJE210G Description générale
With a focus on precision engineering and high-quality materials, this transistor offers superior performance and longevity. Its compact size and easy installation make it perfect for DIY projects or commercial applications. The MJE210G sets a new standard for power transistors in the audio industry, delivering unrivaled performance and value
Caractéristiques
- Piezoelectric Material - Ceramic Type
- Operating Temperature Range -40°C to +125°C
- Low Distortion - Low Noise Performance
- Fine Pitch Lead Frame for Small Size
- RoHS Compliant Packaging Available
- Surface Mountable for Easy Assembly
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | Bipolar Transistors - BJT |
| RoHS: | Details | Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-225-3 | Transistor Polarity: | PNP |
| Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V | Emitter- Base Voltage VEBO: | 8 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.8 V | Maximum DC Collector Current: | 5 A |
| Pd - Power Dissipation: | 15 W | Gain Bandwidth Product fT: | 65 MHz |
| Minimum Operating Temperature: | - | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Series: | MJE210 | Packaging: | Bulk |
| Brand: | onsemi | Continuous Collector Current: | 5 A |
| DC Collector/Base Gain hfe Min: | 70 | Height: | 11.04 mm |
| Length: | 7.74 mm | Product Type: | BJTs - Bipolar Transistors |
| Factory Pack Quantity: | 500 | Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si | Width: | 2.66 mm |
| Unit Weight: | 0.023986 oz | Package | Bulk |
| Product Status | Active | Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5 A | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 40 V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1A, 5A | Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 45 @ 2A, 1V | Power - Max | 15 W |
| Frequency - Transition | 65MHz | Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole | Package / Case | TO-225AA, TO-126-3 |
| Supplier Device Package | TO-126 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
-
![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
-
![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
-
![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
-
![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
-
![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
-
![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
-
The MJE210G is a transistor chip used for high-voltage, high-current switching applications. It is an NPN bipolar junction transistor (BJT) designed for amplification and switching purposes. The chip offers a collector current of 4A and a collector-emitter voltage of 40V. With its robust design and high-performance characteristics, the MJE210G chip is commonly used in power supply circuits, motor control, and other industrial applications.
-
Equivalent
There are several equivalent products to the MJE210G chip, including MJE210GR, MJE210GRL, and MJE210GRL1G. These are all NPN silicon transistors primarily used in general-purpose amplifier and switching applications. -
Features
The MJE210G is a transistor with a PNP bipolar junction configuration. It has a collector current capability of 2A, a collector-base voltage of -40V, and a power dissipation of 20W. It is designed for general-purpose amplifier and switching applications. -
Pinout
The MJE210G is a bipolar junction transistor with a pin count of 3. Its pins are labeled as Collector (C), Base (B), and Emitter (E). The Collector terminal collects current, the Base terminal controls the current flow, and the Emitter terminal emits the current. -
Manufacturer
The MJE210G transistor is manufactured by ON Semiconductor. ON Semiconductor is a multinational semiconductor company that specializes in power management, sensor, and connectivity solutions. It designs and produces a wide range of products used in various industries, including automotive, industrial, computing, consumer, and aerospace. -
Application Field
The MJE210G is a bipolar power transistor typically used for switching and amplification, making it suitable for applications in audio amplifiers, power supplies, motor control, and other electronic devices requiring high power. -
Package
The MJE210G chip is a transistor that comes in a TO-225AA package form. The package dimensions are approximately 4.8mm x 4.6mm x 9.4mm.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
-
![Produit]( "Produit")
Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
-
![quantity]( "quantity")
La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
-
![shipping]( "shipping")
Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
-
![garantie]( "garantie")
Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits
