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NXP MRF6S20010GNR1
Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin TO-270 GULL T/R
Marques: NXP Semiconductor
Pièce Fabricant #: MRF6S20010GNR1
Fiche de données: MRF6S20010GNR1 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: TO-270
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 3565 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureMRF6S20010GNR1 Description générale
RF FET, 68V, 2.2GHZ-1.6GHZ, TO-270G; Drain Source Voltage Vds: 68V; Continuous Drain Current Id: -; Power Dissipation Pd: -; Operating Frequency Min: 2.2GHz; Operating Frequency Max: 1.6GHz; RF Transistor Case: TO-270G; No. of
Caractéristiques
- Operating frequency: 1920 - 1990 MHz
- Output Power: 10 W
- Efficiency: 57%
- Gain: 12 dB
- Voltage: 32 V
- Package: OM-780-4
Application
- AFT05MS004NT1
- BLC9G20L-160AV
- FLL57MK-A
- PTFA091001FV5
- QPD0009L
- SPF-2860Z
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| feature-packaging | Tape and Reel | feature-rad-hard | |
| feature-pin-count | 3 | feature-supplier-package | TO-270 GULL |
| feature-standard-package-name1 | TO-270 GULL | feature-cecc-qualified | No |
| feature-esd-protection | feature-escc-qualified | ||
| feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
| feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
| feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
| feature-svhc | Yes |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The MRF6S20010GNR1 chip is a high-frequency, power amplifier designed for applications in the industrial, scientific, and medical fields. It offers a frequency range of 2110 to 2170 MHz with a maximum output power of 10 watts. The chip is designed to provide reliable and efficient amplification for wireless communication systems, enabling enhanced performance and signal quality.
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Equivalent
Some equivalent products to the MRF6S20010GNR1 chip are the BLC10G25LS-100AVR chip, the HMC311SC60 chip, and the MAMX-011013 chip. -
Features
The MRF6S20010GNR1 is a high-power RF transistor with a frequency range of 1920-1980 MHz. It offers a typical power output of 10 Watts and has a gain of 17.6 dB. This transistor is designed for use in applications such as cellular base stations, mobile radios, and other RF power amplifiers. -
Pinout
The MRF6S20010GNR1 is a transistor with a pin count of 4. Its primary function is to amplify signals in the range of 1.85 GHz to 2.17 GHz. -
Manufacturer
The manufacturer of the MRF6S20010GNR1 is NXP Semiconductors. NXP is a Dutch multinational semiconductor manufacturer that specializes in the research, development, and production of a wide range of integrated circuits, including RF power amplifiers like the MRF6S20010GNR1. -
Application Field
The MRF6S20010GNR1 is a high-power RF transistor designed for use in broadcast applications, including TV and radio transmitters. It provides excellent performance and power efficiency, making it suitable for various broadcast systems and equipment. -
Package
The MRF6S20010GNR1 chip is available in a TO-270 package type, with a flanged ceramic form. The size of the chip is typically 10.1 mm x 8.9 mm.
Fiche de données PDF
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