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NXP MRFE6S9125NR1
N-channel RF MOSFET, 66V, 5-pin TO-270, with Tape and Reel
Marques: Nxp
Pièce Fabricant #: MRFE6S9125NR1
Fiche de données: MRFE6S9125NR1 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: TO-270-4
Statut RoHS:
État des stocks: 3976 pièces, nouveau original
type de produit: Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $45,808 | $45,808 |
| 200 | $17,728 | $3545,600 |
| 500 | $17,104 | $8552,000 |
| 1500 | $16,798 | $25197,000 |
In Stock:3976 PCS
MRFE6S9125NR1 Description générale
The MRFE6S9125NR1 is a high-power RF transistor designed for high-performance applications in the industrial, scientific, and medical (ISM) frequency bands. It operates in the 915 MHz to 928 MHz frequency range, making it ideal for applications such as industrial heating, medical diathermy, and scientific research.This transistor provides excellent gain and efficiency, with a typical gain of 16 dB and a drain efficiency of 65% at 915 MHz. It can deliver up to 125 watts of RF power with a 50 ohm load, making it suitable for high-power applications that require reliable performance.The MRFE6S9125NR1 features a rugged design that can withstand harsh operating conditions, making it suitable for industrial and scientific applications where durability is essential. It also has built-in protection features such as overtemperature and overvoltage protection, ensuring reliable operation and preventing damage to the transistor.
Caractéristiques
- Frequency Range: 50 MHz to 1 GHz
- Output Power: 31.6 W (PEP) @ 960 MHz
- Efficiency: 65% @ 960 MHz
- Gain: 16 dB @ 960 MHz
- Extended Power Gain for High Efficiency
- Integrated ESD Protection
Application
- Land mobile radio systems
- RF linear power amplifiers
- Industrial, scientific, and medical (ISM) applications
- FM and digital modulated systems
- Automotive radar systems
- Communication systems
- Television and radio broadcast systems
- Test equipment
- PCB and module design
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | RF MOSFET Transistors | RoHS | Details |
| Transistor Polarity | N-Channel | Technology | Si |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | - 500 mV, 66 V | Operating Frequency | 880 MHz |
| Gain | 20.2 dB | Output Power | 27 W |
| Minimum Operating Temperature | - 65 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | TO-270-4 |
| Brand | NXP Semiconductors | Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single | Height | 2.64 mm |
| Length | 17.58 mm | Moisture Sensitive | Yes |
| Number of Channels | 1 Channel | Product Type | RF MOSFET Transistors |
| Series | MRFE6S9125N | Factory Pack Quantity | 500 |
| Subcategory | MOSFETs | Type | RF Power MOSFET |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 500 mV, 12 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.1 V |
| Width | 9.07 mm | Part # Aliases | 935314059528 |
| Unit Weight | 0.058073 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The MRFE6S9125NR1 chip is a high-performance RF power amplifier module designed for wireless infrastructure applications. It operates in the frequency range of 2110-2170 MHz, making it suitable for use in 3G and 4G base stations and small cell systems. It offers high gain and efficiency, allowing for extended coverage and improved network performance.
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Equivalent
Some equivalent products of the MRFE6S9125NR1 chip include MRF6S9125N, MRF6S9145N, and MRF6S9160N. These chips are all part of the same series and have similar specifications, making them suitable alternatives for various applications. -
Features
The MRFE6S9125NR1 is a high-frequency power transistor with a frequency range up to 1 GHz. It has a single-sided active device configuration, a high gain for better power performance, and a rugged design for high-reliability applications. -
Pinout
The MRFE6S9125NR1 is a high-performance RF power field-effect transistor. It has 11 pins and functions as a power amplifier in wireless communication applications. -
Manufacturer
NXP Semiconductors is the manufacturer of the MRFE6S9125NR1. It is a semiconductor company that designs and produces a wide range of integrated circuits and semiconductor solutions for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The MRFE6S9125NR1 is a high-power RF transistor commonly used in applications such as cellular base stations, broadcast transmitters, and ISM (industrial, scientific, and medical) equipment. It offers high performance, high power output, and excellent linearity, making it suitable for various RF power amplifier designs. -
Package
The MRFE6S9125NR1 chip is available in a power MOSFET package type called NI-780H. The chip is in a surface mount form with a size of 18.4mm x 13.6mm.
Fiche de données PDF
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