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$5000
NDB6020P
MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: onsemi
Pièce Fabricant #: NDB6020P
Fiche de données: NDB6020P Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SC-70-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
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1 | $1,054 | $1,054 |
200 | $0,409 | $81,800 |
500 | $0,393 | $196,500 |
1000 | $0,388 | $388,000 |
En stock: 9 458 PC
NDB6020P Description générale
These logic level P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using ON Semiconductor's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation modes. These devices are particularly suited for low voltage applications such as automotive, DC/DC converters, PWM motor controls, and other battery powered circuits where fast switching, low in-line power loss, and resistance to transients are needed.
Caractéristiques
- -24 A, -20 V
rDS(ON) = 50 mΩ @ VGS = -4.5 V
rDS(ON) = 70 mΩ @ VGS = -2.7 V
rDS(ON) = 75 mΩ @ VGS = -2.5 V - Critical DC Electrical Parameters Specified at Elevated Temperature
- RuggedInternal Source-Drain Diode Can Eliminate The Need For An External Zener Diode Transient Suppressor
- 175°C Maximum Junction Temperature Rating
- High Density Cell Design for Extremely Low rDS(ON)
- TO-220 and TO-263 (D2PAK) Package For Both Through Hole And Surface Mount Applications
Application
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SC-70-3 |
Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V | Id - Continuous Drain Current: | 24 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 41 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 8 V, + 8 V |
Minimum Operating Temperature: | - 65 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
Pd - Power Dissipation: | 60 W | Channel Mode: | Enhancement |
Series: | NDB6020P | Packaging: | MouseReel |
Brand: | onsemi / Fairchild | Configuration: | Single |
Fall Time: | 70 ns | Height: | 4.83 mm |
Length: | 10.67 mm | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 27 ns | Factory Pack Quantity: | 800 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 P-Channel |
Type: | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time: | 120 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns | Width: | 9.65 mm |
Part # Aliases: | NDB6020P_NL |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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