Ce site web utilise des cookies. En utilisant ce site, vous consentez à l'utilisation de cookies. Pour plus d'informations, veuillez consulter notre politique de confidentialité.

ON NDT451AN

Transistor N-MOSFET

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Onsemi

Pièce Fabricant #: NDT451AN

Fiche de données: NDT451AN Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: SOT-223-4

type de produit: Transistors

Statut RoHS:

État des stocks: 3794 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Ajouter à la nomenclature

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour NDT451AN ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

NDT451AN Description générale

MOSFET, FULL REEL; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 7.2A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.03ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 1.6V; Power Dissipation Pd: 3W

ndt451an

Caractéristiques

  • 7.2A, 30V
    RDS(ON) = 0.035Ω @ VGS = 10V
    RDS(ON) = 0.05Ω @ VGS = 4.5V
  • High density cell design for extremely low RDS(ON)
  • High power and current handling capability in a widely used surface mount package

Application

  • This product is general usage and suitable for many different applications.

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case SOT-223-4
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V Id - Continuous Drain Current 7.2 A
Rds On - Drain-Source Resistance 30 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V Qg - Gate Charge 30 nC
Minimum Operating Temperature - 65 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 3 W Channel Mode Enhancement
Series NDT451AN Brand onsemi / Fairchild
Configuration Single Fall Time 10 ns
Forward Transconductance - Min 11 S Height 1.8 mm
Length 6.5 mm Product Type MOSFET
Rise Time 13 ns Factory Pack Quantity 4000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Type MOSFET Typical Turn-Off Delay Time 29 ns
Typical Turn-On Delay Time 12 ns Width 3.5 mm
Part # Aliases NDT451AN_NL

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The NDT451AN chip is a Non-Destructive Testing (NDT) integrated circuit designed for industrial applications. It offers high-precision measurements for material thickness, corrosion, conductivity, and flaw detection through eddy current and impedance measurements. With its compact size and low power consumption, the NDT451AN chip is suitable for use in various sectors, including aerospace, automotive, and manufacturing industries.
  • Features

    The NDT451AN is an N-channel Trench MOSFET with a low on-resistance and a high current rating. It has a voltage rating of 30V, a continuous current rating of 67A, and a power dissipation rating of 43W. It is designed for use in a wide range of applications such as power supplies, motor drives, and DC-DC converters.
  • Pinout

    The NDT451AN is an 8-pin integrated circuit. It is a N-channel, enhancement-mode power MOSFET with a drain-source voltage rating of 500V, drain current capability of 3.5A, and low on-resistance. The pin count and function are as follows: Pin 1: Gate, Pin 2 & 3: Drain, Pin 4: Source, Pins 5-8: Not Connected.
  • Application Field

    The NDT451AN, a type of non-destructive testing (NDT) sensor, is commonly used in application areas such as quality control and inspection of welded joints, pipelines, and structural elements in various industries including aerospace, automotive, oil and gas, and civil engineering. Its advanced technology allows for accurate and reliable detection of defects and abnormalities without causing damage to the tested materials.
  • Package

    The NDT451AN chip has a BGA package type, with dimensions of approximately 4.5mm x 3.2mm x 0.75mm.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire NDT451AN PDF Télécharger

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

Notes et avis

Notes
Veuillez évaluer le produit !
Merci de saisir un commentaire

Veuillez soumettre vos commentaires après vous être connecté à votre compte.

Soumettre

Recommander

  • FDP032N08

    FDP032N08

    Onsemi

    75V 235A N-Ch MOSFET PowerTrench TO220

  • FDP150N10

    FDP150N10

    ON Semiconductor, LLC

    MOSFET 100V N-Channel PowerTrench

  • FDP8896

    FDP8896

    Onsemi

    The FDP8896 is a 3-pin transistor with N-channel M...

  • FDPF045N10A

    FDPF045N10A

    ON Semiconductor, LLC

    N-Channel 100 V 67A (Tc) 43W (Tc) Through Hole TO-...

  • NTTFS008P03P8Z

    NTTFS008P03P8Z

    ON Semiconductor, LLC

    P-Channel 30 V 22A (Ta), 96A (Tc) 2.36W (Ta), 50W ...

  • NTTFS4C02NTAG

    NTTFS4C02NTAG

    ON Semiconductor, LLC

    N-Channel 30 V 170A (Tc) 91W (Tc) Surface Mount 8-...