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ON NTD25P03LT4G 48HRS

MOSFET -30V -25A P-Channel

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: ON Semiconductor, LLC

Pièce Fabricant #: NTD25P03LT4G

Fiche de données: NTD25P03LT4G Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: TO-252

Statut RoHS:

État des stocks: 2 896 pièces, nouveau original

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Tarifs

*Tous les prix sont en USD

Qté Prix unitaire Prix ext
1 $1,007 $1,007
10 $0,834 $8,340
30 $0,740 $22,200
100 $0,633 $63,300
500 $0,586 $293,000
1000 $0,564 $564,000

En stock: 2 896 PC

- +

Citation courte

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NTD25P03LT4G Description générale

The NTD25P03LT4G MOSFET combines advanced technology with a rugged design to provide exceptional performance in demanding environments. With its high current capacity, low on-resistance, and wide temperature range, this transistor is well-suited for a range of industrial and automotive applications. Whether you need to control motors, regulate power, or switch high currents, the NTD25P03LT4G delivers the reliability and efficiency you need. Experience the difference with this high-quality MOSFET from a trusted supplier

ntd25p03lt4g

Caractéristiques

  • FCC Compliant
  • UL Recognized
  • Mil-Std-202G Compliant

Application

  • Variable Speed Drives
  • SMPS Units
  • Current Sensors

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Source Content uid NTD25P03LT4G Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Ihs Manufacturer ONSEMI
Part Package Code DPAK (SINGLE GAUGE) TO-252 Package Description DPAK-3
Pin Count 3 Manufacturer Package Code 369C
Reach Compliance Code not_compliant ECCN Code EAR99
HTS Code 8541.29.00.95 Factory Lead Time 50 Weeks
Samacsys Manufacturer onsemi Additional Feature LOGIC LEVEL COMPATIBLE
Avalanche Energy Rating (Eas) 200 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (ID) 25 A Drain-source On Resistance-Max 0.08 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JESD-30 Code R-PSSO-G2
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Package Body Material PLASTIC/EPOXY Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type P-CHANNEL Power Dissipation-Max (Abs) 75 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 75 A Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form GULL WING Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 40 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON Package Category TO-XXX (Inc. DPAK)
Released Date Jan 25, 2016

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The NTD25P03LT4G is a power MOSFET chip used for switching applications in power management circuits. It has a high voltage rating of 30V and a continuous drain current of 25A. The chip offers low on-resistance, high switching speed, and low gate charge, making it suitable for various applications such as power supplies, motor control, and LED lighting.
  • Equivalent

    Some equivalent products to the NTD25P03LT4G chip include YTD25P03LT4G, P3N25P03LT, and IPP03N03LA G.
  • Features

    The features of NTD25P03LT4G include a maximum drain current of 25A, a drain-source voltage of -30V, and an on-resistance of 41.5mΩ. It also has low gate-source threshold voltage, a compact TO-252 package, and is suitable for use in various power management applications.
  • Pinout

    The NTD25P03LT4G is a Power MOSFET with a pin count of 3. The functions of its pins are as follows: 1. Source (S): It is the terminal connected to the ground and serves as the reference point for the MOSFET. 2. Drain (D): It is the output terminal and conducts the current flow when the MOSFET is turned on. 3. Gate (G): It controls the MOSFET's conductivity and determines whether it is turned on or off.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the NTD25P03LT4G is ON Semiconductor. It is a multinational semiconductor company specializing in power management and precision analog devices. ON Semiconductor produces a wide range of products for various applications, including automotive, industrial, communication, and consumer electronics industries.
  • Application Field

    The NTD25P03LT4G is a power MOSFET transistor that is commonly used in various electronic applications. Its application areas include power management systems, battery charging circuits, motor control and driver circuits, switch mode power supplies, and other high voltage and high current applications.
  • Package

    The NTD25P03LT4G chip has a TO-252AA package type, with a surface mount form. Its size is typically 6.21mm x 6.21mm.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire NTD25P03LT4G PDF Télécharger

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  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

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