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ON NTZD3155CT2G
Unipolar N/P-MOSFET transistor: Exhibiting complementary pair behavior, designed for operation within a voltage spectrum of 20 volts to -20 volts
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: NTZD3155CT2G
Fiche de données: NTZD3155CT2G Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: SOT-563
Statut RoHS:
État des stocks: 3273 pièces, nouveau original
type de produit: Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $0,369 | $0,369 |
| 10 | $0,249 | $2,490 |
| 30 | $0,188 | $5,640 |
| 100 | $0,130 | $13,000 |
| 500 | $0,093 | $46,500 |
| 1000 | $0,074 | $74,000 |
In Stock:3273 PCS
NTZD3155CT2G Description générale
Mosfet Array 20V 540mA, 430mA 250mW Surface Mount SOT-563
Caractéristiques
- Leading Trench Technology for Low RDS(on) Performance
- High Efficiency System Performance
- Low Threshold Voltage
- ESD Protected Gate
- Small Footprint 1.6 x 1.6 mm
- RoHS Compliant
Application
- DC-DC Conversion Circuits
- Load/Power Switching with Level Shift
- Single or Dual Cell Li-Ion Battery Operated Systems
- High Speed Circuits
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Status | Active | Compliance | PbAHP |
| Package Type | SOT-563 | Case Outline | 463A-01 |
| MSL Type | 1 | MSL Temp (°C) | 260 |
| Container Type | REEL | Container Qty. | 4000 |
| ON Target | N | Channel Polarity | Complementary |
| Configuration | Dual | V(BR)DSS Min (V) | ±20 |
| VGS Max (V) | 6 | VGS(th) Max (V) | 1 |
| ID Max (A) | 0.54 | PD Max (W) | 0.25 |
| RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) | N: 500.00, P: 600.00 | RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) | N:400.00, P: 500.00 |
| Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) | 0.7 | Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) | 1.5 |
| Ciss Typ (pF) | N: 80, P: 105 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The NTZD3155CT2G chip is a dual N-channel enhancement mode MOSFET transistor manufactured by ON Semiconductor. It is designed for power management and load switching applications in portable devices, USB hubs, and battery chargers. With a low on-resistance and compact surface mount package, it provides efficient switching performance and helps in reducing power losses and improving overall system reliability.
-
Equivalent
There aren't any specific equivalent products for the NTZD3155CT2G chip. However, one could look for alternative N-channel enhancement mode MOSFETs with similar specifications and characteristics as the NTZD3155CT2G chip to suit their specific needs. -
Features
NTZD3155CT2G is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) designed for low voltage applications. It has a voltage rating of 20V and a continuous drain current of 3A. The transistor features low on-resistance, high speed switching capabilities, and is suitable for use in battery charger, power management, and load switching applications. -
Pinout
The NTZD3155CT2G is a dual N-channel MOSFET transistor with a SOT-23 package. It has 3 pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins. -
Manufacturer
The manufacturer of the NTZD3155CT2G is ON Semiconductor. It is a multinational semiconductor company that designs, manufactures, and sells a range of semiconductor components and devices for various applications, including power management, analog, and sensor products. -
Application Field
The NTZD3155CT2G is a dual N-channel MOSFET transistor commonly used in switch-mode power supplies, battery chargers, and other power management applications. It is suitable for low voltage and high-frequency operation, making it ideal for portable and compact devices. -
Package
The NTZD3155CT2G chip is available in a DFN (Dual Flat No-Lead) package, with a form of 3.3mm x 3.3mm and a size of 10mm².
Fiche de données PDF
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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