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ON NTGD3148NT1G 48HRS

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 3A 6-Pin TSOP T/R - Tape and Reel

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: ON Semiconductor, LLC

Pièce Fabricant #: NTGD3148NT1G

Fiche de données: NTGD3148NT1G Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: TSOP-6

Statut RoHS:

État des stocks: 3 318 pièces, nouveau original

type de produit: FET, MOSFET Arrays

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Tarifs

*Tous les prix sont en USD

Qté Prix unitaire Prix ext
5 $0,127 $0,635
50 $0,104 $5,200
150 $0,094 $14,100
500 $0,076 $38,000
3000 $0,069 $207,000
6000 $0,065 $390,000

En stock: 3 318 PC

- +

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour NTGD3148NT1G ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

NTGD3148NT1G Description générale

The MOSFET NTGD3148NT1G is a versatile electronic component designed for various applications, featuring dual N-channel transistor polarity for flexibility in circuit design. With a continuous drain current of 3.5A and a drain-source voltage of 20V, this MOSFET is capable of handling moderate power requirements with ease. The low on-resistance of 0.0417ohm ensures minimal power loss and efficient operation, making it suitable for power management systems

Caractéristiques

  • Low Leakage Current (Typ. 0.5 μA)
  • Fast Rise and Fall Times, tr < 15 ns and tf < 7.5 ns
  • High-Speed Switching Capable of 50 kHz
  • Rugged and Reliable Operation with High Temperature Tolerance
  • Compact Package for Space-Saving Applications

Application

  • Power Management Solutions
  • Energy Efficient Designs
  • Battery Monitoring System

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Status Active CAD Models
Compliance PbAHP Package Type TSOP-6
Case Outline 318G-02 MSL Type 1
MSL Temp (°C) 260 Container Type REEL
Container Qty. 3000 ON Target Y
Channel Polarity N-Channel Configuration Dual
V(BR)DSS Min (V) 20 VGS Max (V) 12
VGS(th) Max (V) 1.5 ID Max (A) 3
PD Max (W) 1 RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V (mΩ) Q1=Q2=100
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V (mΩ) Q1=Q2=70 RDS(on) Max @ VGS = 10 V (mΩ) -
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC) - Qg Typ @ VGS = 10 V (nC) 3.8
Ciss Typ (pF) 300 Pricing ($/Unit) $0.1596
feature-category Power MOSFET feature-material
feature-process-technology Trench feature-configuration Dual
feature-channel-mode Enhancement feature-channel-type N
feature-number-of-elements-per-chip 2 feature-maximum-drain-source-voltage-v 20
feature-maximum-gate-source-voltage-v ±12 feature-maximum-gate-threshold-voltage-v
feature-maximum-continuous-drain-current-a 3 feature-maximum-drain-source-resistance-mohm [email protected]
feature-typical-gate-charge-vgs-nc [email protected] feature-typical-gate-charge-10v-nc
feature-typical-input-capacitance-vds-pf 300@10V feature-typical-output-capacitance-pf
feature-maximum-power-dissipation-mw 900 feature-packaging Tape and Reel
feature-rad-hard feature-pin-count 6
feature-supplier-package TSOP feature-standard-package-name1 SOP
feature-cecc-qualified No feature-esd-protection
feature-military No feature-aec-qualified No
feature-aec-qualified-number feature-auto-motive No
feature-p-pap No feature-eccn-code EAR99
feature-svhc No

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
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Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

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1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

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Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The NTGD3148NT1G chip is a high-power, N-channel MOSFET designed for automotive applications. It features a low on-resistance and high thermal performance, making it ideal for use in power management and switching circuits. The chip is commonly used in electric vehicles, battery management systems, and other automotive electronics.
  • Equivalent

    Some equivalent products of NTGD3148NT1G chip are Infineon BSC099N03S, Fairchild FDT86100, and ON Semiconductor NTGD3148NT4G. These chips are all N-channel trench MOSFETs with comparable specifications and performance characteristics.
  • Features

    NTGD3148NT1G is a N-channel MOSFET transistor that operates at a voltage of 30V with a continuous drain current of 8A. It has a low on-resistance of 10 mΩ and is designed for high efficiency power applications in a compact SOT-223 package.
  • Pinout

    The NTGD3148NT1G is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 8. Pin functions include drain 1, gate 1, source 1, drain 2, gate 2, source 2, drain 2, and source 2. It is commonly used in power management applications.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the NTGD3148NT1G is ON Semiconductor Corporation. ON Semiconductor is a global supplier of energy-efficient semiconductor solutions used in diverse industries such as automotive, industrial, and communication sectors. They specialize in developing power management, sensor, and connectivity solutions to help customers design innovative products.
  • Application Field

    The NTGD3148NT1G is commonly used in applications requiring a high-speed, low capacitance diode, such as in data and signal lines, Ethernet connections, USB ports, and high-speed data communications. It is also used in consumer electronics, automotive electronics, and industrial applications for signal protection against ESD and voltage transients.
  • Package

    The NTGD3148NT1G chip is in a reel package type, in the form of tape and reel packaging. It has a size of 1000 pieces per reel.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire NTGD3148NT1G PDF Télécharger

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