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ON NTMFS4C029NT1G 48HRS

N-Channel 30 V 15A (Ta), 46A (Tc) 2.49W (Ta), 23.6W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: ON Semiconductor, LLC

Pièce Fabricant #: NTMFS4C029NT1G

Fiche de données: NTMFS4C029NT1G Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: TDFN-8

Statut RoHS:

État des stocks: 2 262 pièces, nouveau original

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Tarifs

*Tous les prix sont en USD

Qté Prix unitaire Prix ext
5 $0,326 $1,630
50 $0,268 $13,400
150 $0,243 $36,450
1500 $0,211 $316,500
3000 $0,197 $591,000
4500 $0,189 $850,500

En stock: 2 262 PC

- +

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour NTMFS4C029NT1G ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

NTMFS4C029NT1G Description générale

N-Channel 30 V 15A (Ta), 46A (Tc) 2.49W (Ta), 23.6W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL)

Caractéristiques

  • Ultra-Low On-State Resistance
  • Compact and Highly Efficient Design
  • Excellent Thermal Performance Guarantee
  • Fast Switching Speed for High-Power Applications
  • Lithium-Ion Compatible and AEC-Q100 Qualified
  • Robust ESD Protection for Longer Lifespan

Application

  • Smart Power Distribution
  • Flexible Power Options
  • Integrated Power Management

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Source Content uid NTMFS4C029NT1G Pbfree Code Yes
Part Life Cycle Code Active Ihs Manufacturer ONSEMI
Manufacturer Package Code 488AA Reach Compliance Code not_compliant
ECCN Code EAR99 Factory Lead Time 67 Weeks
Date Of Intro 2016-08-08 Samacsys Manufacturer onsemi
Avalanche Energy Rating (Eas) 31 mJ Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain Current-Max (ID) 8.2 A Drain-source On Resistance-Max 0.0058 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JESD-30 Code R-PDSO-F5
JESD-609 Code e3 Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1 Number of Terminals 5
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 23.6 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 132 A
Surface Mount YES Terminal Finish Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form FLAT Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 30 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON feature-category Power MOSFET
feature-material feature-process-technology
feature-configuration Single Quad Drain Triple Source feature-channel-mode Enhancement
feature-channel-type N feature-number-of-elements-per-chip 1
feature-maximum-drain-source-voltage-v 30 feature-maximum-gate-source-voltage-v ±20
feature-maximum-gate-threshold-voltage-v 2.2 feature-maximum-continuous-drain-current-a 15
feature-maximum-drain-source-resistance-mohm 5.88@10V feature-typical-gate-charge-vgs-nc [email protected]|18.6@10V
feature-typical-gate-charge-10v-nc 18.6 feature-typical-input-capacitance-vds-pf 987@15V
feature-typical-output-capacitance-pf feature-maximum-power-dissipation-mw 5600
feature-packaging Tape and Reel feature-rad-hard
feature-pin-count 5 feature-supplier-package SO-FL EP
feature-standard-package-name1 DFN feature-cecc-qualified
feature-esd-protection feature-military No
feature-aec-qualified No feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive No feature-p-pap No
feature-eccn-code EAR99 feature-svhc Yes
feature-svhc-exceeds-threshold Yes

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
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Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • NTMFS4C029NT1G is a Power M Field-Effect Transistor (FET) chip from ON Semiconductor that is often used in power management applications. It offers low on-resistance and high current-handling capability, making it ideal for use in high-efficiency power supplies, DC-DC converters, and motor control circuits.
  • Equivalent

    The equivalent products of NTMFS4C029NT1G chip are: 1. IRF7807D1PBF 2. FDS8958A 3. FDS6912A 4. BSC0906N15NS3G 5. NTMFS4C2810N 6. FDB83N15TM These chips are all power MOSFETs with similar specifications and features as the NTMFS4C029NT1G.
  • Features

    NTMFS4C029NT1G is a Power MOSFET with a low ON-resistance, high switching performance, and low gate charge. It also features a small footprint and a high current capability, making it suitable for power management applications in space-constrained designs.
  • Pinout

    The NTMFS4C029NT1G is a MOSFET with a pin count of 8. It is a N-channel Power MOSFET used for high-speed switching applications in power supplies and DC-DC converters. The functions of the pins are Gate (G), Drain (D), Source (S), and various other connections for optimal performance.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the NTMFS4C029NT1G is ON Semiconductor, a multinational semiconductor supplier. ON Semiconductor specializes in designing and manufacturing power management and digital signal processing products for a variety of industries including automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    The NTMFS4C029NT1G is typically used in power management applications such as voltage regulation, load switches, motor control, and battery charging. It offers low on-state resistance, high current handling capability, and fast switching speeds, making it suitable for a wide range of power electronics designs.
  • Package

    The NTMFS4C029NT1G chip is a MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor) and comes in a surface mount package. It has a form factor of 5mm x 6mm and a size of 8-pin Dual Asymmetric Leadless Package (DALP).

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire NTMFS4C029NT1G PDF Télécharger

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    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

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    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

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    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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