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$5000RS1L120GNTB
High voltage N-channel MOSFET transistor with a current handling capacity of up to 36A
Marques: ROHM Semiconductor
Pièce Fabricant #: RS1L120GNTB
Fiche de données: RS1L120GNTB Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: HSOP-8
Statut RoHS:
État des stocks: 7 802 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
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1 | $0,958 | $0,958 |
200 | $0,371 | $74,200 |
500 | $0,358 | $179,000 |
1000 | $0,352 | $352,000 |
En stock: 7 802 PC
RS1L120GNTB Description générale
N-Channel 60 V 12A (Ta), 36A (Tc) 3W (Ta) Surface Mount 8-HSOP
Application
SWITCHINGCaractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer | ROHM Semiconductor | Product Category | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | HSOP-8 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V | Id - Continuous Drain Current | 36 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 12.7 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.3 V | Qg - Gate Charge | 26 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 27 W | Channel Mode | Enhancement |
Brand | ROHM Semiconductor | Configuration | Single |
Fall Time | 8 ns | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 7 ns | Factory Pack Quantity | 2500 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 40 ns | Typical Turn-On Delay Time | 16 ns |
Part # Aliases | RS1L120GN |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. | |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The RS1L120GNTB chip is an integrated circuit used in power electronic applications. It features a high-voltage gate driver and built-in protection features, making it suitable for driving power MOSFETs and IGBTs. The chip is designed for applications such as motor control, power supplies, and inverters. It offers reliable and efficient power management solutions.
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Equivalent
There are no direct equivalents to the RS1L120GNTB chip. However, other similar products from different manufacturers may include the Vishay VS-50WQ10FN, STMicroelectronics STTH1506FP, or ON Semiconductor MURS120T3G. It is recommended to consult the datasheets of these chips to compare their specifications and find the most suitable replacement for your application. -
Features
RS1L120GNTB is an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) module designed for electrical power conversion applications. It has a voltage rating of 1200V, a current rating of 110A, and a power rating of 450W. The module offers low conduction and switching losses, high short-circuit capability, and is equipped with built-in temperature and short-circuit protection. -
Pinout
The RS1L120GNTB has a pin count of 6 and functions as a bridge rectifier. It is commonly used in applications where AC voltage needs to be converted to DC voltage. -
Manufacturer
RS1L120GNTB is manufactured by Shindengen Electric Manufacturing Company. Shindengen is a Japanese company specializing in the production of semiconductor devices, power supply units, and power management systems. They cater to various industries, including automotive, industrial equipment, and consumer electronics. -
Application Field
The RS1L120GNTB is an N-Channel Power MOSFET used in various applications including power supplies, DC-DC converters, motor control, and automotive systems. It is designed to handle high voltage and power requirements, making it suitable for use in a wide range of industrial and consumer electronics devices. -
Package
The RS1L120GNTB chip has a package type of TO-220, a form of N/A, and a size of N/A.
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits