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RTQ045N03TR
Power Field-Effect Transistor with 4.5A current and 30V voltage rating
Marques: Rohm Semiconductor
Pièce Fabricant #: RTQ045N03TR
Fiche de données: RTQ045N03TR Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-457T-6
Statut RoHS:
État des stocks: 9 067 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $0,643 | $0,643 |
| 200 | $0,257 | $51,400 |
| 500 | $0,248 | $124,000 |
| 1000 | $0,244 | $244,000 |
En stock: 9 067 PC
RTQ045N03TR Description générale
The RTQ045N03TR is a power MOSFET manufactured by Richtek. It is a N-channel MOSFET with a voltage rating of 30V and a continuous drain current of 45A. The device is housed in a TO-263 package which allows for efficient heat dissipation during operation. The RTQ045N03TR features low RDS(ON) resistance of 4.5mΩ, making it suitable for high current applications where low power dissipation is crucial. This MOSFET also has a fast switching speed and low gate charge, allowing for efficient operation in applications requiring high frequencies.The MOSFET is designed for use in a wide range of applications including DC-DC converters, synchronous rectification, motor control, power management systems, and battery protection circuits. The device is designed to operate at high efficiency levels and withstand high power loads.
Caractéristiques
- Advanced thermal performance
- High-speed switching capability
- Silicon-based, high-reliability design
- Fast recovery time and low losses
- Ergonomic package for easy handling
- Low noise emission and reduced electromagnetic interference
Application
- Electronic devices
- Power distribution
- Energy efficiency
- Voltage regulation
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-457T-6 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 4.5 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 420 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 12 V, + 12 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.5 V |
| Qg - Gate Charge | 7.6 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.25 W |
| Channel Mode | Enhancement | Series | RTQ045N03 |
| Brand | ROHM Semiconductor | Configuration | Single |
| Fall Time | 31 ns | Height | 0.85 mm |
| Length | 2.9 mm | Product | MOSFET Small Signals |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 31 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 45 ns | Typical Turn-On Delay Time | 13 ns |
| Width | 1.6 mm | Part # Aliases | RTQ045N03 |
| Unit Weight | 0.000494 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Emballage
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