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$5000ST SCTWA60N120G2-4
N-Channel 1200 V 60A (Tc) 388W (Tc) Through Hole TO-247-4
Marques: STMicroelectronics, Inc
Pièce Fabricant #: SCTWA60N120G2-4
Fiche de données: SCTWA60N120G2-4 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: HiP247-4
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 3 214 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SCTWA60N120G2-4 Description générale
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2ndgeneration SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
Caractéristiques
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Extremely low gate charge and input capacitance
- Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
- Source sensing pin for increased efficiency
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| feature-packaging | Tube | feature-rad-hard | |
| feature-pin-count | 4 | feature-supplier-package | HIP-247 |
| feature-standard-package-name1 | feature-cecc-qualified | ||
| feature-esd-protection | feature-escc-qualified | ||
| feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
| feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
| feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
| feature-svhc | Yes |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
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Emballage
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![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SCTWA60N120G2-4 is a silicon carbide power MOSFET designed for high-frequency and efficiency applications. It offers low switch and conduction losses, making it suitable for use in power supplies, motor drives, and renewable energy systems. With a voltage rating of 1200V and a current rating of 60A, this chip is ideal for high-power applications that require fast switching speeds and reliable performance.
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Equivalent
The equivalent products of SCTWA60N120G2-4 chip are Infineon's IGBT modules with similar specifications, such as FF600R17ME4, FF450RA17KE3, and FF450RA17KF4. They are all high-power IGBT modules designed for industrial applications with similar current and voltage ratings. -
Features
Some features of SCTWA60N120G2-4 include a VCEsat of 1.95V, a maximum continuous collector current of 60A, a maximum collector-emitter voltage of 1200V, and a switching frequency of 20kHz. It is a silicon carbide trench Schottky diode with low switching losses and high efficiency. -
Pinout
The SCTWA60N120G2-4 is a silicon carbide power MOSFET with a TO-247-4 package. It has 3 pins: gate (G), source (S), and drain (D). It is designed for high-power applications due to its 1200V voltage rating and 60A current rating. -
Manufacturer
Infineon Technologies AG is the manufacturer of SCTWA60N120G2-4. Infineon is a German semiconductor manufacturer that focuses on power and chip card security. They specialize in providing products for applications such as automotive, industrial, and digital power control. -
Application Field
SCTWA60N120G2-4 is commonly used in high power applications such as industrial motor drives, power supplies, renewable energy systems, and electric vehicle charging. It is suitable for use in applications requiring high voltage and high current handling capabilities, making it a versatile choice for various power electronics applications. -
Package
The SCTWA60N120G2-4 chip is a power module with a TO-247 package type. It has a single form and a size of 30.0mm x 50.7mm.
Fiche de données PDF
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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