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SFP9Z34
Silicon Power MOSFET Designed for Power Applications, P-Channel with 0.14ohm Resistance, TO-220AB Package
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: SFP9Z34
Fiche de données: SFP9Z34 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO220-3
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
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1 | $0,599 | $0,599 |
200 | $0,233 | $46,600 |
500 | $0,225 | $112,500 |
1000 | $0,220 | $220,000 |
En stock: 9 458 PC
SFP9Z34 Description générale
Introducing the SFP9Z34, an innovative hybrid silicon photodiode array developed by Hamamatsu to meet the demands of precision measurement applications. Equipped with 256 pixels arranged in a 16x16 array, each measuring 0.4 mm in diameter, this cutting-edge device offers sensitivity to a broad spectrum of wavelengths, ranging from ultraviolet to near infrared. Its low dark current, low noise characteristics, and high-speed readout capability up to 10 MHz enable precise measurement of rapidly changing light signals in real time. Additionally, the SFP9Z34 features a built-in temperature sensor for monitoring and compensation, ensuring stable and reliable performance across various operating conditions. With its compact and rugged design, this photodiode array is easily integrated into different measurement systems, making it a versatile and dependable choice for light detection applications
Caractéristiques
- Avalanche Rugged Technology
- Rugged Gate Oxide Technology
- Lower Input Capacitance
- Improved Gate Charge
- 175oC Opereting Temperature
- Extended Safe Operating Area
- Lower Leakage Current : -10 µA (Max.) @ VDS = -60V
- Low RDS(ON) : 0.106 Ω (Typ.)
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer: | onsemi | Product Category: | MOSFET |
RoHS: | Details | Technology: | Si |
Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-220-3 |
Transistor Polarity: | P-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V | Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 140 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 175 C |
Pd - Power Dissipation: | 82 W | Channel Mode: | Enhancement |
Packaging: | Tube | Brand: | onsemi / Fairchild |
Configuration: | Single | Fall Time: | 28 ns |
Forward Transconductance - Min: | 8.1 S | Height: | 16.3 mm |
Length: | 10.67 mm | Product Type: | MOSFET |
Rise Time: | 24 ns | Factory Pack Quantity: | 50 |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 P-Channel |
Type: | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time: | 43 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns | Width: | 4.7 mm |
Part # Aliases: | SFP9Z34_NL |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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