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vishay SI4477DY-T1-GE3
MOSFET with -20V Drain-to-Source Voltage and 12V Gate-to-Source Voltage in SO-8 Package
Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SI4477DY-T1-GE3
Fiche de données: SI4477DY-T1-GE3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOIC-8
Statut RoHS:
État des stocks: 7 500 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $0,789 | $0,789 |
| 10 | $0,683 | $6,830 |
| 30 | $0,630 | $18,900 |
| 100 | $0,577 | $57,700 |
| 500 | $0,546 | $273,000 |
| 1000 | $0,528 | $528,000 |
En stock: 7 500 PC
SI4477DY-T1-GE3 Description générale
P-Channel 20 V 26.6A (Tc) 3W (Ta), 6.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Caractéristiques
- Integrated high-side and low-side N-channel MOSFET drivers
- Drives single-ended synchronous buck converters
- Low-side driver can be disabled for system standby mode
- Adaptive dead-time control for optimized efficiency
- Pull-up voltage for high-side gate driver is adjustable
- Programmable UVLO for system protection
Application
- Switching regulators
- Battery powered systems
- Portable communication devices
- Power management systems
- DC-DC converters
- LED lighting
- Voltage regulation
- Industrial equipment
- Automotive electronics
- Consumer electronics
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | SOIC-8 |
| Transistor Polarity | P-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V | Id - Continuous Drain Current | 26.6 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6.2 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 600 mV | Qg - Gate Charge | 125 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 6.6 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | TrenchFET | Series | SI4 |
| Brand | Vishay Semiconductors | Configuration | Single |
| Fall Time | 42 ns | Forward Transconductance - Min | 10 S |
| Height | 1.75 mm | Length | 4.9 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 42 ns |
| Factory Pack Quantity | 2500 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 100 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 42 ns | Width | 3.9 mm |
| Part # Aliases | SI4477DY-GE3 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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SI4477DY-T1-GE3 is a MOSFET transistor chip primarily used for power management applications. It features low on-resistance, high current ratings, and efficient switching capabilities. The chip is commonly utilized in power supplies, motor control circuits, LED lighting, and other electronic devices requiring high-power handling and efficient performance.
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Equivalent
The equivalent products of SI4477DY-T1-GE3 chip are IRF7904PBF, FDMS86381TC, IRFB3207PBF, IRF7832PBF, and FCP300N60. These are all N-channel power MOSFETs with similar specifications and operating characteristics. -
Features
SI4477DY-T1-GE3 is a N-channel MOSFET with a low on-resistance of 12 mΩ, a maximum drain current of 45 A, and a maximum voltage rating of 30 V. It is designed for efficient power management applications in automotive and industrial sectors. -
Pinout
The SI4477DY-T1-GE3 is a 5-pin integrated circuit with the following functions: Pin 1 (GATE) is used to control the gate of a MOSFET, Pin 2 (SOURCE) is connected to the source of the MOSFET, Pin 3 (GND) is the ground pin, and Pins 4 and 5 (VCC) are used to provide power to the IC. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI4477DY-T1-GE3 is Vishay Intertechnology, Inc. It is an American company that manufactures electronic components and equipment, specializing in passive electronic components and semiconductor products. Vishay products can be found in a wide range of industries including automotive, industrial, consumer electronics, telecommunications, and aerospace. -
Application Field
The SI4477DY-T1-GE3 is commonly used in power management applications, such as DC-DC converters, LED lighting, and battery chargers. It can also be found in audio amplifiers and systems, motor control circuits, and automotive electronics due to its high performance and efficiency characteristics. -
Package
The SI4477DY-T1-GE3 chip comes in a D-Sub package type, with a surface mount form factor. Its size is typically around 7.6 mm x 4mm.
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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