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$5000SI7469DP-T1-E3
SI7469DP-T1-E3 is a MOSFET designed with an -80V Vds and a 20V Vgs, enclosed in a PowerPAK SO-8 package
Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SI7469DP-T1-E3
Fiche de données: SI7469DP-T1-E3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: PowerPAK-SO-8
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 5 014 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SI7469DP-T1-E3 Description générale
The SI7469DP-T1-E3 is a P-channel MOSFET designed for high-power applications. With a continuous drain current of -28A and a drain source voltage of -80V, this transistor offers reliable and efficient performance. Its low on-resistance of 0.021ohm and high power dissipation of 83W make it suitable for demanding tasks, whether in industrial, automotive, or consumer electronics
Caractéristiques
- Wide operating temperature range
- Excellent thermal performance
- Low noise and vibration
- Precise control and measurement
Application
- Precise switching control
- Durable battery management
- Flexible overvoltage protection
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | PowerPAK-SO-8 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 80 V |
| Id - Continuous Drain Current | 28 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 29 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3 V |
| Qg - Gate Charge | 160 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 83 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI7 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 110 ns |
| Forward Transconductance - Min | 52 S | Height | 1.04 mm |
| Length | 6.15 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 220 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 95 ns | Typical Turn-On Delay Time | 45 ns |
| Width | 5.15 mm | Part # Aliases | SI7469DP-E3 |
| Unit Weight | 0.017870 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SI7469DP-T1-E3 is a high-speed, dual N-channel MOSFET power switch designed for load switches in portable applications. It features a low on-resistance and high current-handling capability, making it ideal for use in battery-powered devices where efficiency and reliability are crucial. This chip is commonly used in smartphones, tablets, and other handheld electronic devices.
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Equivalent
Some equivalent products of SI7469DP-T1-E3 chip are Infineon BSP742R and ON Semiconductor NTB74202N. These are all high-side smart power switches with similar features and specifications suitable for various applications. -
Features
SI7469DP-T1-E3 is a 20V, 60A p-channel MOSFET with low on-resistance and guaranteed avalanche performance. It is lead-free and RoHS-compliant, making it suitable for high-efficiency power management applications. It also has a compact footprint and is designed to handle high power densities. -
Pinout
The SI7469DP-T1-E3 is a dual P-channel MOSFET with a pin count of 8. Pin functions include gate (G), source (S), and drain (D) for the two P-channel MOSFETs. This device is commonly used for power management applications where high efficiency and compact size are required. -
Manufacturer
SI7469DP-T1-E3 is manufactured by Vishay Intertechnology, an American company that specializes in manufacturing discrete semiconductors and passive electronic components. Vishay Intertechnology is a global industry leader in creating components for a wide range of applications, including automotive, industrial, consumer, military, and aerospace sectors. -
Application Field
SI7469DP-T1-E3 is a P-channel MOSFET specifically designed for power management applications, including load switching and battery protection. It is commonly used in portable devices, IoT devices, and power supply modules. It offers low on-state resistance and high efficiency, making it suitable for high-performance and energy-efficient applications. -
Package
The SI7469DP-T1-E3 chip is a dual P-channel MOSFET in a PowerPAIR package. It comes in a reel form with a size of 4mm x 6mm.
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