Commandes de plus de
$5000SIR626DP-T1-RE3
N-Channel 60 V (D-S) MOSFET
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![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
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Marques: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
Pièce Fabricant #: SIR626DP-T1-RE3
Fiche de données: SIR626DP-T1-RE3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: PowerPAK® SO-8
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 6 027 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SIR626DP-T1-RE3 Description générale
N-Channel 60 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
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Caractéristiques
- Sophisticated logic and control
- User-friendly interface with intuitive controls
- Advanced sensor technology for precise monitoring
- Fully compatible with standard protocols
- Easy integration into existing systems
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Ihs Manufacturer | VISHAY INTERTECHNOLOGY INC | Package Description | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
Factory Lead Time | 14 Weeks, 4 Days | Date Of Intro | 2017-03-22 |
Samacsys Manufacturer | Vishay | Avalanche Energy Rating (Eas) | 125 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 60 V | Drain Current-Max (Abs) (ID) | 100 A |
Drain Current-Max (ID) | 100 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.002 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PDSO-F5 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 5 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 104 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 200 A |
Surface Mount | YES | Terminal Form | FLAT |
Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
Turn-off Time-Max (toff) | 78 ns |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SIR626DP-T1-RE3 is a high-performance RF power amplifier module designed for applications in the 0.5 to 2.5 GHz frequency range. This chip offers excellent power added efficiency and linearity, making it ideal for use in cellular infrastructure, repeaters, small cells, and other wireless communication systems. Its compact size and high reliability make it a versatile option for high-power RF applications.
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Equivalent
Some equivalent products of SIR626DP-T1-RE3 chip are SIR633DP-T1-RE3, SIR624DP-T1-RE3, and SIR625DP-T1-RE3 from the same manufacturer. These chips are all dual P-channel MOSFETs with similar specifications and features. -
Features
- SIR626DP-T1-RE3 is a high-speed, low resistance, dual P-channel MOSFET - Features a drain-source voltage of -30V - Provides a maximum continuous drain current of -7A - Designed for use in portable electronics, battery protection circuits, and load switching applications -
Pinout
The SIR626DP-T1-RE3 is a Dual P-Channel MOSFET with 8 pins. Its functions include providing high-speed switching for power management applications. -
Manufacturer
The manufacturer of SIR626DP-T1-RE3 is Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductor is a company that specializes in the design and production of discrete semiconductors and passive electronic components. They are known for their high-quality products and innovative solutions for various industries such as automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. -
Application Field
SIR626DP-T1-RE3 is commonly used in applications requiring fast switching speeds and high breakdown voltage, such as high-frequency power amplifiers, radar systems, and microwave applications. It is also suitable for use in power management systems, RF transmitters, and satellite communication systems. -
Package
The SIR626DP-T1-RE3 chip is a diode rectifier in a D-PAK package. It has a surface mount form and a size of 6.6mm x 9.2mm x 3.6mm.
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits