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SIR626DP-T1-RE3

N-Channel 60 V (D-S) MOSFET

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Pièce Fabricant #: SIR626DP-T1-RE3

Fiche de données: SIR626DP-T1-RE3 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: PowerPAK® SO-8

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Statut RoHS:

État des stocks: 6 027 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

Veuillez soumettre une demande de prix pour SIR626DP-T1-RE3 ou envoyez-nous un email: E-mail: [email protected], nous vous contacterons dans les 12 heures.

SIR626DP-T1-RE3 Description générale

N-Channel 60 V 100A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

SIR626DP-T1-RE3

Caractéristiques

  • Sophisticated logic and control
  • User-friendly interface with intuitive controls
  • Advanced sensor technology for precise monitoring
  • Fully compatible with standard protocols
  • Easy integration into existing systems

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Rohs Code Yes Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer VISHAY INTERTECHNOLOGY INC Package Description SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Reach Compliance Code ECCN Code EAR99
Factory Lead Time 14 Weeks, 4 Days Date Of Intro 2017-03-22
Samacsys Manufacturer Vishay Avalanche Energy Rating (Eas) 125 mJ
Case Connection DRAIN Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V Drain Current-Max (Abs) (ID) 100 A
Drain Current-Max (ID) 100 A Drain-source On Resistance-Max 0.002 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR JESD-30 Code R-PDSO-F5
Number of Elements 1 Number of Terminals 5
Operating Mode ENHANCEMENT MODE Operating Temperature-Max 150 °C
Operating Temperature-Min -55 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 104 W Pulsed Drain Current-Max (IDM) 200 A
Surface Mount YES Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Max (toff) 78 ns

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The SIR626DP-T1-RE3 is a high-performance RF power amplifier module designed for applications in the 0.5 to 2.5 GHz frequency range. This chip offers excellent power added efficiency and linearity, making it ideal for use in cellular infrastructure, repeaters, small cells, and other wireless communication systems. Its compact size and high reliability make it a versatile option for high-power RF applications.
  • Equivalent

    Some equivalent products of SIR626DP-T1-RE3 chip are SIR633DP-T1-RE3, SIR624DP-T1-RE3, and SIR625DP-T1-RE3 from the same manufacturer. These chips are all dual P-channel MOSFETs with similar specifications and features.
  • Features

    - SIR626DP-T1-RE3 is a high-speed, low resistance, dual P-channel MOSFET - Features a drain-source voltage of -30V - Provides a maximum continuous drain current of -7A - Designed for use in portable electronics, battery protection circuits, and load switching applications
  • Pinout

    The SIR626DP-T1-RE3 is a Dual P-Channel MOSFET with 8 pins. Its functions include providing high-speed switching for power management applications.
  • Manufacturer

    The manufacturer of SIR626DP-T1-RE3 is Vishay Semiconductor. Vishay Semiconductor is a company that specializes in the design and production of discrete semiconductors and passive electronic components. They are known for their high-quality products and innovative solutions for various industries such as automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications.
  • Application Field

    SIR626DP-T1-RE3 is commonly used in applications requiring fast switching speeds and high breakdown voltage, such as high-frequency power amplifiers, radar systems, and microwave applications. It is also suitable for use in power management systems, RF transmitters, and satellite communication systems.
  • Package

    The SIR626DP-T1-RE3 chip is a diode rectifier in a D-PAK package. It has a surface mount form and a size of 6.6mm x 9.2mm x 3.6mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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