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$5000SUM70101EL-GE3
P-Channel 100-V (D-S) 175C Mosfet Rohs Compliant: Yes Vishay SUM70101EL-GE3
Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SUM70101EL-GE3
Fiche de données: SUM70101EL-GE3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: D2PAK-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 7 340 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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SUM70101EL-GE3 Description générale
Meet the SUM70101EL-GE3, a high-performance P-channel MOSFET designed for demanding industrial and automotive applications. With a drain source voltage (Vds) of -100V and a continuous drain current (Id) of -120A, this transistor offers robust and reliable operation. Its low on resistance (Rds(on) of 0.0081ohm) and high threshold voltage (Vgs) of -2.5V ensure minimal power loss and efficient performance. The TO-263 case style and 3 pins enable easy integration into various electronic systems. With a power dissipation of 375W and an operating temperature max of 175°C, this MOSFET is built to withstand harsh environmental conditions. As part of the TrenchFET Series, it meets automotive qualification standards, making it a dependable choice for automotive applications. Its MSL 1 - Unlimited rating and absence of SVHC further underscore its safety and reliability
Caractéristiques
- Precise temperature compensation ensured
- Efficient energy conversion realized
- Industry-leading performance demonstrated
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | D2PAK-3 (TO-263-3) |
| Transistor Polarity | P-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V | Id - Continuous Drain Current | 120 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 10.1 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V | Qg - Gate Charge | 125 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 175 C |
| Pd - Power Dissipation | 375 W | Channel Mode | Enhancement |
| Brand | Vishay Semiconductors | Configuration | Single |
| Fall Time | 40 ns | Forward Transconductance - Min | 60 S |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 40 ns |
| Factory Pack Quantity | 800 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 110 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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SUM70101EL-GE3 chip is a high-performance, dual N-channel MOSFET designed for power management applications in devices such as smartphones, laptops, and tablets. It features low on-resistance, high current handling capability, and excellent thermal performance. This chip is widely used in portable electronics for efficient power conversion and voltage regulation.
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Equivalent
Some equivalent products of SUM70101EL-GE3 chip are SUM70101EL, SUM70101ELH-GE3, and SUM70101ELJ-GE3. These chips share similar specifications and features, making them suitable alternatives for various applications. -
Features
Features of SUM70101EL-GE3 include a low on-resistance of 7.9mΩ, high current handling capability up to 100A, ultra-low gate charge for efficient switching, and a compact PQFN 3.3x3.3mm package. This MOSFET is suitable for use in applications such as power supplies, motor control, and LED lighting. -
Pinout
The SUM70101EL-GE3 is a dual 1:1 DPDT analog switch with a total of 6 pins. It features high-speed operation, low on-resistance, and low power consumption. The device is designed for use in various applications such as portable electronics, communication equipment, and computing systems. -
Manufacturer
SUM70101EL-GE3 is manufactured by Vishay Intertechnology, Inc., which is an American company that produces electronic components and technologies. Vishay Intertechnology is a global leader in the semiconductor industry, providing a wide range of products such as capacitors, resistors, diodes, and transistors for various applications in industries including automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. -
Application Field
The SUM70101EL-GE3 is primarily used in high-frequency applications such as mobile communications, satellite communication systems, radar systems, and microwave links. Its excellent linearity, low noise figure, and high power efficiency make it ideal for RF power amplification in these applications. -
Package
The SUM70101EL-GE3 chip is a surface-mount package type with a form of QFN (Quad Flat No-Lead) and a size of 3x3 mm.
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