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$5000UF3C065030B3
Silicon-carbide based power transistor for high-performance system
Marques: QORVO
Pièce Fabricant #: UF3C065030B3
Fiche de données: UF3C065030B3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: D2PAK-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 9 485 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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UF3C065030B3 Description générale
Furthermore, the UF3C065030B3 excels in thermal management, owing to its state-of-the-art packaging design featuring a high thermal conductivity substrate and low thermal resistance between the transistors and the heatsink. This design enables reliable operation at high temperatures and power levels, offering peace of mind in demanding operating conditions. In addition, the module incorporates advanced protection features against overcurrent and overtemperature scenarios, guaranteeing safe and secure operation. Its fast and robust intrinsic diode enables efficient freewheeling during reverse current flow, further enhancing its reliability and performance
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
| Technology | - | Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 65A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 12V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 40A, 12V | Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 10mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 15 V | Vgs (Max) | ±25V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 100 V | FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 242W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | TO-263 (D2Pak) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The UF3C065030B3 is a silicon carbide (SiC) MOSFET chip designed for high power and high temperature applications. It offers low losses, high efficiency, and fast switching capabilities. This chip is suitable for use in power electronic systems, such as electric vehicles, renewable energy systems, and industrial machinery.
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Equivalent
The equivalent products of UF3C065030B3 chip are the STFSC10H65B3, STFSC10H65B3Y, and STFSC10H65B3Y3 chips. These chips are also high voltage SiC technologies that offer similar performance and features as the UF3C065030B3 chip. -
Features
1. 650V Silicon Carbide Power MOSFET 2. 30mΩ on-resistance 3. FAST diode recovery 4. High-speed switching 5. Low gate charge 6. High thermal conductivity 7. Low capacitance 8. Enhanced ruggedness 9. Reduction in overall system cost and size 10. Ideal for high-frequency, high-power applications. -
Pinout
The UF3C065030B3 is a 3-pin device with two power pins and one gate pin. Pin 1 is the source, pin 2 is the gate, and pin 3 is the drain. It is a 650V, 3A SiC FET designed for high efficiency power conversion applications. -
Manufacturer
UnitedSiC is the manufacturer of the UF3C065030B3. It is a semiconductor company that specializes in the design and manufacturing of silicon carbide power semiconductors. UnitedSiC focuses on delivering high performance and efficient solutions for power electronics applications in industries such as automotive, industrial, and renewable energy. -
Application Field
The UF3C065030B3 is primarily used in power supply applications, motor drives, renewable energy systems, and industrial automation. Its high voltage and current capabilities make it suitable for high-power applications where efficiency and reliability are crucial. It is commonly used in inverters, converters, and power management systems in various industries. -
Package
The UF3C065030B3 chip comes in a TO-247 package type. It is in the form of a discrete semiconductor device and has a size of 10.66mm x 5.59mm x 4.57mm.
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