Infineon BSC021N08NS5
MOSFET TRENCH 40<-<100V
Marques: Infineon Technologies Corporation
Pièce Fabricant #: BSC021N08NS5
Fiche de données: BSC021N08NS5 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SuperSO8 5x6
Statut RoHS:
État des stocks: 3789 pièces, nouveau original
type de produit: Power Field-Effect Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
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1 | $4,452 | $4,452 |
10 | $3,909 | $39,090 |
30 | $3,586 | $107,580 |
100 | $3,260 | $326,000 |
500 | $3,108 | $1554,000 |
1000 | $3,041 | $3041,000 |
In Stock:3789 PCS
BSC021N08NS5 Description générale
Infineon's OptiMOS™ MOSFETs in SuperSO8 package extend OptiMOS™ 3 and 5 product portfolio and enable higher power density in addition to improved robustness, responding to the need for lower system cost and increased performance.Low reverse recovery charge (Qrr) improves the system reliability by providing a significant reduction of voltage overshoot, which minimizes the need for snubber circuits, resulting in less engineering cost and effort.
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
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Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Package Description | , |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
Samacsys Manufacturer | Infineon | Avalanche Energy Rating (Eas) | 679 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 80 V | Drain Current-Max (ID) | 226 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0021 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
Feedback Cap-Max (Crss) | 82 pF | JESD-30 Code | R-PDSO-N8 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 8 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 175 °C |
Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 214 W |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 904 A | Surface Mount | YES |
Terminal Finish | TIN | Terminal Form | NO LEAD |
Terminal Position | DUAL | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. | |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The BSC021N08NS5 is a power MOSFET that is commonly used in various electronic devices to regulate power distribution. It offers low on-resistance and high current carrying capability, making it ideal for applications requiring efficient power management. Its compact size and high-performance characteristics make it a popular choice among designers for a wide range of products.
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Equivalent
The equivalent products of BSC021N08NS5 chip are Infineon IPP021N08N5 G MOSFET, ON Semiconductor FDP021N08B N-Channel MOSFET, and Fairchild FDP021N08N3 N-Channel PowerTrench MOSFET. These MOSFETs have similar specifications and can be used as alternatives to the BSC021N08NS5 chip. -
Features
BSC021N08NS5 is a N-channel, 80V, 21A MOSFET with low Rds(on) of 8mΩ. It is suitable for high power applications with high efficiency and fast switching performance. This MOSFET also offers low gate charge and avalanche ruggedness for reliable operation in demanding environments. -
Pinout
The BSC021N08NS5 is a 8-pin dual N-channel power MOSFET with high current capability and low Rds(on). It is commonly used in power management applications such as battery charging, motor control, and power supplies. The pin functions include gate (G), source (S1, S2), and drain (D1, D2) for each channel. -
Manufacturer
The BSC021N08NS5 is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer. Infineon is a global leader in the development and production of power semiconductors, sensors, and security solutions for a variety of industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The BSC021N08NS5 is a power MOSFET suitable for various applications such as industrial power supplies, motor controls, and DC-DC converters. It can also be used in automotive systems, telecommunications equipment, and general purpose power switching applications where high efficiency and low power dissipation are required. -
Package
BSC021N08NS5 chip is packaged in a TO-263 form with a size of 10.3mm x 12mm.
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