Infineon BSC035N10NS5ATMA1
N-Channel 100 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Marques: Infineon Technologies Corporation
Pièce Fabricant #: BSC035N10NS5ATMA1
Fiche de données: BSC035N10NS5ATMA1 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TDSON-8
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 2508 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureBSC035N10NS5ATMA1 Description générale
N-Channel 100 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Caractéristiques
- Optimized for synchronous rectification
- Ideal for high switching frequency
- Output capacitance reduction of up to 44%
- R DS(on) reduction of up to 43% from previous generation
- Highest system efficiency
- Reduced switching and conduction losses
- Less paralleling required
- Increased power density
- Low voltage overshoot
Application
- Telecom
- Server
- Solar
- Low voltage drives
- Light electric vehicles
- Adapter
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
RHoS | yes | PBFree | yes |
HalogenFree | yes | Pbfree Code | Yes |
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Package Description | TDSON-8 |
Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
Factory Lead Time | 53 Weeks, 1 Day | Samacsys Manufacturer | Infineon |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 300 mJ | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 100 V |
Drain Current-Max (ID) | 100 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.0035 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PDSO-F8 |
JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 8 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 400 A |
Surface Mount | YES | Terminal Finish | TIN |
Terminal Form | FLAT | Terminal Position | DUAL |
Transistor Application | SWITCHING |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
---|---|---|
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. | |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. | |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. | |
Western union | charge US.00 banking fee. | |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The BSC035N10NS5ATMA1 chip is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) commonly used in electronic devices and applications that require high-power handling. It is designed to operate efficiently with low on-resistance and high load current capability. The chip's compact size and reliable performance make it suitable for a wide range of power circuit designs and applications.
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Features
The BSC035N10NS5ATMA1 is a power MOSFET with a VDS voltage rating of 100V and low on-resistance. It has a compact package with a low gate charge and excellent switching performance, making it suitable for various power applications including motor control and power supplies. -
Pinout
The BSC035N10NS5ATMA1 is a power MOSFET with a pin count of 8. The pins are used for different functions including the gate (G), drain (D), source (S), and other auxiliary pins for protection and control purposes. -
Manufacturer
Infineon is the manufacturer of the BSC035N10NS5ATMA1. It is a semiconductor manufacturing company that specializes in producing power management and control solutions for a wide range of applications in various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The BSC035N10NS5ATMA1 is a power MOSFET transistor designed for use in various applications such as motor control, power supplies, and DC-DC converters. -
Package
The BSC035N10NS5ATMA1 chip has a package type of PowerSemi2, a form of SMD, and a size of 5x6 mm.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits