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ON FDB088N08
N-Channel 75 V 120A (Tc) 160W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Marques: ON Semiconductor, LLC
Pièce Fabricant #: FDB088N08
Fiche de données: FDB088N08 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: D2PAK
Statut RoHS:
État des stocks: 3869 pièces, nouveau original
type de produit: Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $1,477 | $1,477 |
| 10 | $1,444 | $14,440 |
| 30 | $1,422 | $42,660 |
| 100 | $1,403 | $140,300 |
In Stock:3869 PCS
FDB088N08 Description générale
This N-Channel MOSFET is produced using a PowerTrench® process that has been tailored to minimize the on-state resistance while maintaining superior switching performance.
Caractéristiques
- RDS(on) = 7.3mΩ ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 85A
- Fast switching speed
- Low Gate Charge
- High performance trench technology for low RDS(on)
- High power and current handling capability
- RoHS compliant
Application
- AC-DC Merchant Power Supply
- AC-DC Merchant Power Supply - Servers & Workstations
- AC-DC Merchant Power Supply - Desktop PC
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | FDB088N08 | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
| Package Description | D2PAK-3 | Manufacturer Package Code | 418AJ |
| Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Factory Lead Time | 45 Weeks | Samacsys Manufacturer | onsemi |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 309 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 75 V |
| Drain Current-Max (ID) | 85 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.0088 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95 Code | TO-263AB |
| JESD-30 Code | R-PSSO-G2 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 2 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 175 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 245 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 160 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 340 A |
| Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | Matte Tin (Sn) - annealed | Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | SINGLE | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
| feature-category | Power MOSFET | feature-material | |
| feature-process-technology | TMOS | feature-configuration | Single |
| feature-channel-mode | Enhancement | feature-channel-type | N |
| feature-number-of-elements-per-chip | 1 | feature-maximum-drain-source-voltage-v | 75 |
| feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±20 | feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | 4 |
| feature-maximum-continuous-drain-current-a | 120 | feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 8.8@10V |
| feature-typical-gate-charge-vgs-nc | 91@10V | feature-typical-gate-charge-10v-nc | 91 |
| feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 4960@25V | feature-typical-output-capacitance-pf | |
| feature-maximum-power-dissipation-mw | 160000 | feature-packaging | Tape and Reel |
| feature-rad-hard | feature-pin-count | 3 | |
| feature-supplier-package | D2PAK | feature-standard-package-name1 | TO-263 |
| feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | |
| feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
| feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
| feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
| feature-svhc | Yes |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FDB088N08 is a power MOSFET chip primarily used for switching applications. It has a maximum voltage rating of 80V and a continuous drain current of 80A. The chip features a low on-resistance and offers high efficiency and reliability. It is commonly used in automotive, industrial, and consumer electronics applications where high power switching is required.
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Equivalent
Equivalent products of the FDB088N08 chip include the IPP088N08N3G, STI088N08M5, IPB088N08N5, IRF540NPBF, and IRF7749L1TRPBF. -
Features
FDB088N08 is a power MOSFET transistor with a drain-source voltage of 80V, a continuous drain current rating of 80A, and a low on-resistance of 8.8mΩ. It is designed for applications where high power and efficiency are required, such as power supplies, motor control, and audio amplification. -
Pinout
The FDB088N08 is a MOSFET transistor device. It has a pin count of 8, meaning it has 8 different pins for various connections. The specific function of each pin can be found in the datasheet provided by the manufacturer. -
Manufacturer
The manufacturer of the FDB088N08 is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is an American company that specializes in the design, development, and manufacturing of semiconductor devices. -
Application Field
The FDB088N08 is a power MOSFET transistor that can be used in various applications, including motor control, power supplies, DC-DC converters, and battery management systems. It is designed to handle high voltage and high current, making it suitable for applications that require efficient power switching and low on-resistance. -
Package
The FDB088N08 chip has a TO-263 package type, with a through-hole mounting form. Its approximate size is 10mm x 8.7mm x 3.3mm.
Fiche de données PDF
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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