ON FDC637BNZ
SO N-Channel MOSFET transistor
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: FDC637BNZ
Fiche de données: FDC637BNZ Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: SSOT-6
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 3212 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureFDC637BNZ Description générale
This N-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor's advanced PowerTrench® process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.These devices have been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint compared with bigger SO-8 and TSSOP-8 packages.
Caractéristiques
- Max rDS(on) = 24mΩ at VGS = 4.5V, ID = 6.2A
- Max rDS(on) = 32mΩ at VGS = 2.5V, ID = 5.2A
- Fast switching speed
- Low gate charge (8nC typical)
- High performance trench technology for extremely low rDS(on)
- SuperSOT™¨C6 package: small footprint (72% smaller than standard SO-8; low profile (1mm thick)
- HBM ESD protection level > 2kV typical (Note 3)
- Manufactured using green packaging material
- Halide-Free
- RoHS Compliant
Application
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SSOT-6 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
Id - Continuous Drain Current | 6.2 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 24 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 12 V, + 12 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 600 mV |
Qg - Gate Charge | 12 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.6 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
Series | FDC637BNZ | Brand | onsemi / Fairchild |
Configuration | Single | Fall Time | 6 ns |
Height | 1.1 mm | Length | 2.9 mm |
Product | MOSFET Small Signals | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 6 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 22 ns | Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
Width | 1.6 mm |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
---|---|---|
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FDC637BNZ is a chip used for capacitive touch sensing applications. It includes eight independent capacitive sensor inputs, each with programmable sensitivity and independent detection threshold settings. The chip can detect human touch through various materials like glass or plastic and is commonly used in proximity sensing, touchscreens, and touch buttons. It offers a compact and efficient solution for implementing touch-sensitive interfaces in various electronic devices.
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Features
The FDC637BNZ is a high-speed transistorized voltage follower with high input impedance and low output impedance. It has a gain bandwidth product of 5 GHz and is designed for use in high-frequency applications. The device is housed in a small SOT-23 package and operates over a wide temperature range. -
Pinout
The FDC637BNZ is a 6-pin single N-Channel Logic-Level PowerTrench® MOSFET. Its pin count is 6, and its function is to act as an N-Channel enhancement mode field-effect transistor for power switching applications. -
Manufacturer
The FDC637BNZ is manufactured by Fairchild Semiconductor. It is an American semiconductor company that designs, manufactures, and supplies power, analog, and mixed-signal integrated circuits for various industries, including automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. -
Application Field
The FDC637BNZ is a high-side current sense amplifier with adjustable gain and high accuracy. It is commonly used in applications such as electric motor control, power management, battery monitoring, and current sensing in automotive systems. -
Package
The FDC637BNZ chip is housed in a SOT-23 package, has a single form, and its size is compact due to the small size of the SOT-23 package.
Fiche de données PDF
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
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Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits
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