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ON FDC645N
FDC645N, an N-channel MOSFET from ON Semiconductor, boasts a 5.5 A current capacity and a 30 V voltage rating, packaged in a 6-pin SSOT form factor
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: FDC645N
Fiche de données: FDC645N Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: SSOT-6
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 3407 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureFDC645N Description générale
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS(ON) and fast switching speed.
Caractéristiques
- 5.5 A, 30 V.
- RDS(on) = 30 mΩ @ VGS = 4.5 V
- RDS(on) = 26 mΩ @ VGS = 10 V
- High performance trench technology for extremelylow RDS(ON)
- Low gate charge (13 nC typical)
- High power and current handling capability
Application
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SSOT-6 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 5.5 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 30 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 12 V, + 12 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
| Qg - Gate Charge | 21 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.6 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
| Series | FDC645N | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Single | Fall Time | 9 ns |
| Forward Transconductance - Min | 33 S | Height | 1.1 mm |
| Length | 2.9 mm | Product | MOSFET Small Signals |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 9 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns | Typical Turn-On Delay Time | 8 ns |
| Width | 1.6 mm | Part # Aliases | FDC645N_NL |
| Unit Weight | 0.001270 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FDC645N chip is a power MOSFET specifically designed for load switching applications in portable devices and battery-powered systems. It offers low on-resistance, high current capability, and low gate charge. The chip provides efficient power management and helps enhance the overall performance and runtime of battery-powered devices.
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Equivalent
The equivalent products of FDC645N chip are FDV303N, IRLML2502, IRF9910, SI2304, BSS847, BST847, AO4813A, and FDS4848. -
Features
FDC645N is a small signal and low Vth N-channel MOSFET. It has a low on-resistance, making it suitable for high-frequency applications. It operates at a voltage range of -20V to 12V, and has a maximum continuous drain current of 2.4A. It is designed for low-power and low-voltage applications. -
Pinout
The FDC645N is a dual N-channel MOSFET transistor with a pin count of 6. It is commonly used for power applications. -
Manufacturer
The FDC645N is manufactured by Fairchild Semiconductor, which is an American semiconductor company. It specializes in the design, development, and manufacturing of a wide range of electronic components and solutions for various industries. -
Application Field
The FDC645N is a high-performance N-channel MOSFET transistor primarily used in power management applications. It can be applied in various areas such as DC-DC converters, motor control, electronic load switches, battery chargers, and other power management circuits requiring low RDS(ON) and fast switching. -
Package
The FDC645N chip comes in a small, surface-mount package type called SOT-23, which has three pins. It measures approximately 3.0 mm x 1.3 mm x 0.95 mm (LxWxH).
Fiche de données PDF
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