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ON FDG1024NZ
These MOSFETs offer efficient power handling capabilities with a compact SC-88-6 package design, making them ideal for space-constrained PCB layouts
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: FDG1024NZ
Fiche de données: FDG1024NZ Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: SOT-323-6
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 2388 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureFDG1024NZ Description générale
This dual N-Channel logic level enhancement mode field effect transistors are produced using a proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETs. Since bias resistors are not required, this dual digital FET can replace several different digital transistors, with different bias resistor values.
Caractéristiques
- Max rDS(on) = 175 mO at VGS = 4.5 V, ID = 1.2 A
- Max rDS(on) = 215 mO at VGS = 2.5 V, ID = 1.0 A
- Max rDS(on) = 270 mO at VGS = 1.8 V, ID = 0.9 A
- Max rDS(on) = 389 mO at VGS = 1.5 V, ID = 0.8 A
- HBM ESD protection level >2 kV (Note 3)
- Very low level gate drive requirements allowing operation in 1.5 V circuits (VGS(th) < 1 V)
- Very small package outline SC70-6
- RoHS Compliant
Application
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-323-6 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 1.2 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 321 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 400 mV |
| Qg - Gate Charge | 2.6 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 360 mW |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
| Series | FDG1024NZ | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Dual | Forward Transconductance - Min | 4 S |
| Height | 1.1 mm | Length | 2 mm |
| Product | MOSFET Small Signals | Product Type | MOSFET |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 2 N-Channel | Type | Power Trench MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 11 ns | Typical Turn-On Delay Time | 3.7 ns |
| Width | 1.25 mm |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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FDG1024NZ is a chip used for fingerprint recognition and authentication. It offers a high level of security and accuracy, making it suitable for various applications, including mobile devices, access control systems, and financial transactions. The chip utilizes advanced technology to capture and process fingerprint data, providing quick and reliable identification.
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Features
The FDG1024NZ is a compact, high-performance frequency synthesizer IC. It has a wide frequency range, low phase noise, and low power consumption. It supports both phase-locked loop (PLL) and direct digital synthesis (DDS) modes of operation. The IC also offers built-in frequency sweep and automatic power control features for enhanced functionality. -
Pinout
The FDG1024NZ is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 8. Its functions include acting as a switch or amplifier for low voltage applications, offering low on-resistance, and supporting high current handling capabilities. -
Application Field
The FDG1024NZ is a field-effect transistor designed for use in high-frequency applications such as telecommunication systems, radar, and imaging devices. It can also be used in low-noise amplifiers, mixers, and oscillators. Its compact size and high gain make it suitable for various wireless communication and signal processing applications. -
Package
The FDG1024NZ chip is available in a small and compact surface mount package type known as FlipChip. Its size is typically 1.6mm x 1.6mm, making it suitable for applications that require a miniature footprint and high density.
Fiche de données PDF
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