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ON FDG6317NZ
High-performance 2N-Ch PowerTrench MOSFET rated at 20V and 0.7A
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: FDG6317NZ
Fiche de données: FDG6317NZ Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: SOT-323-6
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 3601 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureFDG6317NZ Description générale
Transistor; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:20V; Continuous Drain Current, Id:0.7mA; On Resistance, Rds(on):0.4ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:1.2V
Caractéristiques
- 0.7A, 20V
- RDS(ON) = 400 mΩ @ VGS = 4.5V
- RDS(ON) = 500 mΩ @ VGS = 2.5V
- ESD protection diode (note 3)
- Low gate charge
- High performance trench technology for extremelylow RDS(ON)
- Compact industry standard SC70-6 surface mountpackage
Application
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-323-6 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 700 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 400 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 12 V, + 12 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 600 mV |
| Qg - Gate Charge | 1.1 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 300 mW |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
| Series | FDG6317NZ | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Dual | Fall Time | 7 ns |
| Forward Transconductance - Min | 1.8 S | Height | 1.1 mm |
| Length | 2 mm | Product | MOSFET Small Signals |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 7 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 2 N-Channel | Type | MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 7.5 ns | Typical Turn-On Delay Time | 5.5 ns |
| Width | 1.25 mm | Part # Aliases | FDG6317NZ_NL |
| Unit Weight | 0.000988 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FDG6317NZ is a semiconductor chip used for power management in electronic devices. It features a low voltage drop and high current capability, making it suitable for various applications requiring efficient power management. It is designed to improve overall device performance and power efficiency while minimizing heat generation.
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Equivalent
There are no direct equivalent products for the FDG6317NZ chip. However, some alternative options that can be considered are FDG6307NZ and FDG6335NZ, which have similar specifications and functionalities. -
Pinout
The FDG6317NZ is a Dual P-Channel MOSFET with a pin count of 6. The pinout options and functions of the pins are as follows: Pin 1 is the Gate (G1) of the first MOSFET, Pin 2 is the Source (S1) of the first MOSFET, Pin 3 is the Drain (D1) of the first MOSFET, Pin 4 is the Drain (D2) of the second MOSFET, Pin 5 is the Source (S2) of the second MOSFET, and Pin 6 is the Gate (G2) of the second MOSFET. -
Manufacturer
The FDG6317NZ is manufactured by LG Electronics, a multinational electronics company. LG Electronics is known for producing a wide range of products including televisions, smartphones, home appliances, and industrial equipment. It is headquartered in Seoul, South Korea, and is one of the leading consumer electronics manufacturers in the world. -
Application Field
The FDG6317NZ is a high power N-channel MOSFET primarily designed for power applications such as switch mode power supplies, motor drives, and high voltage amplifiers. -
Package
The FDG6317NZ chip has a SOT-23 package type. The form is Surface Mount Device (SMD). The size of the chip is small, measuring approximately 2.9mm x 1.3mm.
Fiche de données PDF
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No major issues, but not top of the line.