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ON FDMA3023PZ
Tape and Reel Packaging
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: FDMA3023PZ
Fiche de données: FDMA3023PZ Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: MicroFET-6
Statut RoHS:
État des stocks: 2680 pièces, nouveau original
type de produit: Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $0,809 | $0,809 |
| 200 | $0,313 | $62,600 |
| 500 | $0,302 | $151,000 |
| 1000 | $0,297 | $297,000 |
In Stock:2680 PCS
FDMA3023PZ Description générale
MOSFET, PP CH, 30V, 2.9A, MICROFET2X2; Transistor Polarity:Dual P Channel; Continuous Drain Current Id:-2.9A; Drain Source Voltage Vds:-30V; On Resistance Rds(on):0.071ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:-600mV; Power Dissipation Pd:1.4W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:MicroFET; No. of Pins:6; MSL:MSL 1 - Unlimited
Caractéristiques
- Max rDS(on) = 90 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -2.9 A
- Max rDS(on)= 130 mmΩ at VGS = -2.5 V, ID = -2.6 A
- Max rDS(on) = 170 mmΩ at VGS = -1.8 V, ID = -1.7 A
- Max rDS(on) = 240 mmΩ at VGS = -1.5 V, ID = -1.0 A
- Low profile - 0.8 mm maximum - in the new package MicroFET 2x2 mm
- HBM ESD protection level > 2 kV (Note 3)
- RoHS Compliant
Application
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | MicroFET-6 | Transistor Polarity | P-Channel |
| Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 2.9 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 90 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Qg - Gate Charge | 11 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.4 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
| Series | FDMA3023PZ | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Dual | Fall Time | 4 ns |
| Height | 0.75 mm | Length | 2 mm |
| Product | MOSFET Small Signals | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 4 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 2 P-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 62 ns | Typical Turn-On Delay Time | 5 ns |
| Width | 2 mm |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FDMA3023PZ chip is a high-performance RF power amplifier designed for use in mobile communication devices. It operates in the 2.3-2.4 GHz frequency range and is used to amplify signals for improved transmission and reception. It offers high linearity, efficiency, and low power consumption, making it suitable for various wireless communication applications.
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Equivalent
The equivalent products of the FDMA3023PZ chip include the FDMA3023EZ, FDMA3023EM, and FDMA3023PM chips. -
Features
The FDMA3023PZ is a high power, high efficiency RF power transistor that operates in the frequency range of 800 MHz to 3000 MHz. It offers a high gain and low distortion, making it suitable for various applications such as wireless infrastructure, cellular base stations, and amplifiers. -
Pinout
The FDMA3023PZ is a 30V dual N-channel PowerTrench® MOSFET. It has a pin count of 8, with the following functions: Gate 1 (G1), Gate 2 (G2), Source 1 (S1), Drain 1 (D1), Drain 2 (D2), Source 2 (S2), Vbatt, and VCC. -
Manufacturer
The manufacturer of the FDMA3023PZ is Fairchild Semiconductor. It is an American company specializing in the design and production of a wide range of semiconductors, including integrated circuits, power MOSFETs, and optoelectronics. -
Application Field
The FDMA3023PZ is typically used in applications requiring power amplification for wireless communication systems such as cellular base stations, repeaters, and small cell systems. These devices operate in the 2.3 GHz to 2.7 GHz frequency range and feature high linearity, efficiency, and compact size. -
Package
The FDMA3023PZ chip is available in a Power-SO8 package type, it is in a surface mount form, and its size is 5mm x 6mm x 1mm.
Fiche de données PDF
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Not the best quality, but it's a great value for the price.