ON FDMA507PZ
P-Channel 20 V 7.8A (Ta) 2.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Marques: ON Semiconductor, LLC
Pièce Fabricant #: FDMA507PZ
Fiche de données: FDMA507PZ Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: MLP EP
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 3339 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureFDMA507PZ Description générale
This device is designed specifically for battery charge or load switching in cellular handset and other ultraportable applications. It features a MOSFET with low on-stade resistance. The MicroFET 2X2 package offers exceptional thermal perfomance for its physical size and is well suited to linear mode applications.
Caractéristiques
- Max rDS(on) = 24 mΩ at VGS = -5 V, ID = -7.8 A
- Max rDS(on) = 25 mΩ at VGS = -4.5 V, ID = -7 A
- Max rDS(on) = 35 mΩ at VGS = -2.5 V, ID = -5.5 A
- Max rDS(on) = 45 mΩ at VGS = -1.8 V, ID = -4 A
- Low Profile - 0.8 mm maximum - in the package MicroFET2X2 mm
- HBM ESD protection level > 3.2K V typical (Note3)
- Free from halogenated compounds and antimony oxides
- RoHS Compliant
Application
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Source Content uid | FDMA507PZ | Pbfree Code | Yes |
Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
Package Description | 2 X 2 MM, 0.80 MM HEIGHT, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MICROFET-6 | Manufacturer Package Code | 511DB |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
Factory Lead Time | 53 Weeks | Samacsys Manufacturer | onsemi |
Application | SWITCHING | Case Connection | DRAIN |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 Code | S-PDSO-N6 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 6 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | SQUARE | Package Style | SMALL OUTLINE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | P-CHANNEL |
Surface Mount | YES | Terminal Finish | NICKEL PALLADIUM GOLD |
Terminal Form | NO LEAD | Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Element Material | SILICON |
feature-category | Power MOSFET | feature-material | |
feature-process-technology | TMOS | feature-configuration | Single Quad Drain |
feature-channel-mode | Enhancement | feature-channel-type | P |
feature-number-of-elements-per-chip | 1 | feature-maximum-drain-source-voltage-v | 20 |
feature-maximum-gate-source-voltage-v | ±8 | feature-maximum-gate-threshold-voltage-v | |
feature-maximum-continuous-drain-current-a | 7.8 | feature-maximum-drain-source-resistance-mohm | 24@5V |
feature-typical-gate-charge-vgs-nc | 30@5V | feature-typical-gate-charge-10v-nc | |
feature-typical-input-capacitance-vds-pf | 1515@10V | feature-typical-output-capacitance-pf | |
feature-maximum-power-dissipation-mw | 2400 | feature-packaging | Tape and Reel |
feature-rad-hard | feature-pin-count | 6 | |
feature-supplier-package | MLP EP | feature-standard-package-name1 | QFN |
feature-cecc-qualified | No | feature-esd-protection | Yes |
feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
feature-aec-qualified-number | feature-auto-motive | No | |
feature-p-pap | No | feature-eccn-code | EAR99 |
feature-svhc | No |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
---|---|---|
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. | |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FDMA507PZ chip is an integrated circuit designed for frequency division multiple access (FDMA) applications. It is used to separate incoming signals into different frequency channels, allowing for efficient transmission and utilization of the available frequency spectrum. The chip offers reliable and robust performance, making it suitable for various wireless communication systems and devices.
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Features
The FDMA507PZ is a high-performance direct digital synthesizer (DDS) chip. It features a 32-bit accumulator and a 14-bit DAC for producing high-resolution frequency and phase signals. Its digital frequency and amplitude modulation capabilities, along with low power consumption, make it suitable for various applications in communications and instrumentation. -
Pinout
The FDMA507PZ is a dual MOSFET package with a pin count of 8. It is commonly used in power management applications where low on-resistance and high efficiency are important. The pin functions typically include gate, source, and drain connections for each MOSFET. -
Manufacturer
FDMA507PZ is a product manufactured by ON Semiconductor. The company is a leading supplier of semiconductor-based solutions, offering a broad range of products such as power management, sensors, and connectivity. ON Semiconductor serves various industries including automotive, industrial, consumer electronics, and healthcare. -
Application Field
The FDMA507PZ is a GaN (Gallium Nitride) transistor suitable for RF amplifier applications in various industries, including telecommunications, aerospace, defense, and radar systems. It can be utilized in frequency division multiple access (FDMA) systems, microwave radio systems, and other applications requiring high power amplification and efficiency. -
Package
The FDMA507PZ chip is available in a TO-220F package type, in an N-channel MOSFET transistor form, with a size of 10.2 mm x 5.2 mm.
Fiche de données PDF
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