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ON FDMS3669S
FDMS3669S - MOSFET featuring Asymmetric Dual N-Channel Power Trench technology for 30V applications
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: FDMS3669S
Fiche de données: FDMS3669S Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: Power-56-8
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 2769 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureFDMS3669S Description générale
This device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual PQFN package. The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronousSyncFET™ (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency.
Caractéristiques
- Q1: N-Channel
Max rDS(on) = 10 mΩ at VGS = 10 V, ID = 13 A
Max rDS(on) = 14.5 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 10 A - Q2: N-Channel
Max rDS(on) = 5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 18 A
Max rDS(on) = 5.2 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 17 A - Low inductance packaging shortens rise/fall times, resulting in lower switching losses
- MOSFET integration enables optimum layout for lower circuit inductance and reduced switch node ringing
- RoHS Compliant
Application
- Notebook PC
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | REACH | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | Power-56-8 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 2 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 60 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 10 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Qg - Gate Charge | 34 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2.5 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | Power Stage PowerTrench |
| Series | FDMS3669S | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Dual | Fall Time | 3 ns |
| Forward Transconductance - Min | 113 S | Height | 1.1 mm |
| Length | 6 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 3 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 2 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 24 ns | Typical Turn-On Delay Time | 9 ns |
| Width | 5 mm |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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FDMS3669S is a power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) chip commonly used in electronic devices. It is known for its efficient power management and low on-resistance, allowing for high-performance operation while minimizing power loss. The chip is designed to improve the overall power efficiency of electronic systems, making it suitable for applications such as mobile devices, laptops, and various consumer electronics.
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Equivalent
The equivalent products of the FDMS3669S chip include the AON6428, AON6418, and AON6403. -
Features
The FDMS3669S is a power MOSFET that has a maximum drain-source voltage rating of 30V and a maximum drain current rating of 80A. It features a low on-resistance, fast switching speed, and a compact surface-mount package. It is commonly used in applications such as power supplies, motor control, and automotive systems. -
Pinout
The FDMS3669S is a dual N-channel PowerTrench® MOSFET. Its pin count is 8, with 4 pins for each MOSFET: drain (D), source (S), gate (G), and body (B). This MOSFET is used for power management applications and provides low on-resistance and high power density. -
Manufacturer
The manufacturer of the FDMS3669S is Fairchild Semiconductor. It is a semiconductor manufacturing company that specializes in the design, development, and production of integrated circuits and power devices for various industries, including automotive, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
The FDMS3669S is a power stage module designed for DC-DC applications. Some application areas include power distribution systems, telecommunications, industrial equipment, automotive, and consumer electronics where high power density and efficiency are required. It is commonly used in power management systems for voltage regulation and conversion purposes. -
Package
The FDMS3669S chip is in a Power56 package type, with a form that is surface mount. Its size is 8.88mm x 7.06mm.
Fiche de données PDF
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