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ON FDMS86101DC 48HRS

The product FDMS86101DC is a MOSFET with dual Cool PowerTrench MOSFETs, operating at 100V/20V

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Onsemi

Pièce Fabricant #: FDMS86101DC

Fiche de données: FDMS86101DC Datasheet (PDF)

Colis/Caisse: DualCool-56-8

Statut RoHS:

État des stocks: 2757 pièces, nouveau original

type de produit: Transistors

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Tarifs

*Tous les prix sont en USD

Qté Prix unitaire Prix ext
1 $2,436 $2,436
10 $2,149 $21,490
30 $1,969 $59,070
100 $1,784 $178,400
500 $1,702 $851,000
1000 $1,665 $1665,000

In Stock:2757 PCS

- +

Citation courte

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FDMS86101DC Description générale

This N-Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. Advancements in both silicon and Dual Cool™ package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance by extremely low Junction-to-Ambient thermal resistance.

fdms86101dc

Caractéristiques

  • Shielded Gate MOSFET Technology
  • Dual Cool™ Top Side Cooling PQFN package
  • Max rDS(on) = 7.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 14.5 A
  • Max rDS(on) = 12 mΩ at VGS = 6 V, ID = 11.5 A
  • High performance technology for extremely low rDS(on)
  • 100% UIL Tested
  • RoHS Compliant

Application

  • DC-DC Merchant Power Supply

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Product Category MOSFET RoHS Details
REACH Details Technology Si
Mounting Style SMD/SMT Package / Case DualCool-56-8
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 100 V Id - Continuous Drain Current 14.5 A
Rds On - Drain-Source Resistance 7.5 mOhms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 2 V Qg - Gate Charge 44 nC
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 125 W Channel Mode Enhancement
Tradename PowerTrench Series FDMS86101DC
Brand onsemi / Fairchild Configuration Dual
Height 1.05 mm Length 6 mm
Product Type MOSFET Factory Pack Quantity 3000
Subcategory MOSFETs Transistor Type 1 N-Channel
Width 5 mm

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The FDMS86101DC chip is a power MOSFET designed for high-frequency and high-efficiency applications. It features a low ON-resistance and a low gate charge, enabling it to handle high currents with reduced power losses. The chip is ideal for use in various power conversion applications, such as DC-DC converters, motor drivers, and buck/boost regulators.
  • Equivalent

    There aren't any directly equivalent products to the FDMS86101DC chip. However, similar MOSFET chips that could potentially be used as alternatives include the FDMS86181, FDMS86182, and FDMS86185. These chips have similar specifications and may meet the required functionality.
  • Features

    FDMS86101DC is a 100 V N-channel PowerTrench MOSFET designed for synchronous rectified buck switching applications. It features low on-resistance, low gate charge, and fast switching characteristics, making it suitable for high-performance power management circuits, DC-DC converters, and motor control applications.
  • Pinout

    The FDMS86101DC has a pin count of 8 and is a power MOSFET with low on-resistance designed for applications requiring higher power density and efficiency.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the FDMS86101DC is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a global company that designs, manufactures, and supplies power and discrete semiconductors for various industries such as automotive, consumer electronics, and industrial applications.
  • Application Field

    The FDMS86101DC is an advanced power MOSFET used for switching applications in various fields such as automotive, telecommunications, industrial, and consumer products. This MOSFET offers low on-resistance, high current carrying capacity, and fast switching characteristics, making it suitable for applications that require efficient power management and high performance.
  • Package

    The FDMS86101DC chip comes in the QFN package type, with a form factor of dual complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS). The size of the chip is approximately 6 mm x 6 mm.

Fiche de données PDF

Spécification préliminaire FDMS86101DC PDF Télécharger

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  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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