ON FDMS86101DC
The product FDMS86101DC is a MOSFET with dual Cool PowerTrench MOSFETs, operating at 100V/20V
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: FDMS86101DC
Fiche de données: FDMS86101DC Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: DualCool-56-8
Statut RoHS:
État des stocks: 2757 pièces, nouveau original
type de produit: Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
---|---|---|
1 | $2,436 | $2,436 |
10 | $2,149 | $21,490 |
30 | $1,969 | $59,070 |
100 | $1,784 | $178,400 |
500 | $1,702 | $851,000 |
1000 | $1,665 | $1665,000 |
In Stock:2757 PCS
FDMS86101DC Description générale
This N-Channel MOSFET is produced using an advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. Advancements in both silicon and Dual Cool™ package technologies have been combined to offer the lowest rDS(on) while maintaining excellent switching performance by extremely low Junction-to-Ambient thermal resistance.
Caractéristiques
- Shielded Gate MOSFET Technology
- Dual Cool™ Top Side Cooling PQFN package
- Max rDS(on) = 7.5 mΩ at VGS = 10 V, ID = 14.5 A
- Max rDS(on) = 12 mΩ at VGS = 6 V, ID = 11.5 A
- High performance technology for extremely low rDS(on)
- 100% UIL Tested
- RoHS Compliant
Application
- DC-DC Merchant Power Supply
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
REACH | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | DualCool-56-8 |
Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V | Id - Continuous Drain Current | 14.5 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 7.5 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V | Qg - Gate Charge | 44 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 125 W | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | PowerTrench | Series | FDMS86101DC |
Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Dual |
Height | 1.05 mm | Length | 6 mm |
Product Type | MOSFET | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
Width | 5 mm |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
---|---|---|
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. | |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. | |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. | |
Western union | charge US.00 banking fee. | |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
-
Étape1 :Produit
-
Étape2 :Emballage sous vide
-
Étape3 :Sac antistatique
-
Étape4 :Emballage individuel
-
Étape5 :Boîtes d'emballage
-
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
-
The FDMS86101DC chip is a power MOSFET designed for high-frequency and high-efficiency applications. It features a low ON-resistance and a low gate charge, enabling it to handle high currents with reduced power losses. The chip is ideal for use in various power conversion applications, such as DC-DC converters, motor drivers, and buck/boost regulators.
-
Equivalent
There aren't any directly equivalent products to the FDMS86101DC chip. However, similar MOSFET chips that could potentially be used as alternatives include the FDMS86181, FDMS86182, and FDMS86185. These chips have similar specifications and may meet the required functionality. -
Features
FDMS86101DC is a 100 V N-channel PowerTrench MOSFET designed for synchronous rectified buck switching applications. It features low on-resistance, low gate charge, and fast switching characteristics, making it suitable for high-performance power management circuits, DC-DC converters, and motor control applications. -
Pinout
The FDMS86101DC has a pin count of 8 and is a power MOSFET with low on-resistance designed for applications requiring higher power density and efficiency. -
Manufacturer
The manufacturer of the FDMS86101DC is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a global company that designs, manufactures, and supplies power and discrete semiconductors for various industries such as automotive, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
The FDMS86101DC is an advanced power MOSFET used for switching applications in various fields such as automotive, telecommunications, industrial, and consumer products. This MOSFET offers low on-resistance, high current carrying capacity, and fast switching characteristics, making it suitable for applications that require efficient power management and high performance. -
Package
The FDMS86101DC chip comes in the QFN package type, with a form factor of dual complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS). The size of the chip is approximately 6 mm x 6 mm.
Fiche de données PDF
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
-
Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
-
La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
-
Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
-
Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits
Impressed with the quick order processing and delivery times.