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ON FDMS86181
100V N-channel MOSFET with a 44A current capacity in an 8-pin PQFN package with exposed pad for enhanced thermal performance
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: FDMS86181
Fiche de données: FDMS86181 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: Power-56-8
Statut RoHS:
État des stocks: 2184 pièces, nouveau original
type de produit: Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $2,023 | $2,023 |
| 10 | $1,682 | $16,820 |
| 30 | $1,470 | $44,100 |
| 100 | $1,254 | $125,400 |
| 500 | $0,956 | $478,000 |
| 1000 | $0,915 | $915,000 |
In Stock:2184 PCS
FDMS86181 Description générale
This N-Channel MV MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimise on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.
Caractéristiques
- Shielded Gate MOSFET Technology
- Max rDS(on) = 4.2 mΩ at VGS = 10 V, ID = 44 A
- Max rDS(on) = 12 mΩ at VGS = 6 V, ID = 22 A
- ADD
- 50% lower Qrr than other MOSFET suppliers
- Lowers switching noise/EMI
- MSL1 robust package design
- 100% UIL tested
- RoHS Compliant
Application
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | Power-56-8 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current | 124 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 12 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Qg - Gate Charge | 42 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 125 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | PowerTrench |
| Series | FDMS86181 | Brand | onsemi / Fairchild |
| Configuration | Single | Fall Time | 6 ns |
| Forward Transconductance - Min | 116 S | Height | 1.1 mm |
| Length | 6 mm | Product | Power MOSFETs |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 9 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Type | PowerTrench | Typical Turn-Off Delay Time | 25 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 17 ns | Width | 5 mm |
| Unit Weight | 0.003175 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FDMS86181 chip is a power MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) designed for high power applications. It features low on-resistance and low gate charge, making it suitable for use in various electronic devices such as power supplies, motor controllers, and automotive applications. The chip offers efficient power management capabilities with reduced power dissipation and improved amplifier performance.
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Equivalent
The equivalent products of the FDMS86181 chip are the STW6N861, IPP60R190E6, and IPP65R190E6 power MOSFETs. -
Features
The FDMS86181 is a power MOSFET transistor that offers low on-resistance and high efficiency for various applications. It has a high current-carrying capacity and provides reliable operation in demanding conditions. Additionally, it is optimized for fast switching speeds and features low gate charge, making it suitable for power management and motor control applications. -
Pinout
The FDMS86181 is a power MOSFET with a pin count of 8. It is used for power management applications, such as voltage regulation or conversion. The specific function of each pin would depend on the particular configuration and application circuit. -
Manufacturer
The manufacturer of the FDMS86181 is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a global company that designs, manufactures, and distributes a wide range of semiconductor products for various industries, including automotive, consumer electronics, industrial, and telecommunications. -
Application Field
The FDMS86181 is a power MOSFET transistor that is commonly used in various applications such as power supplies, DC-DC converters, motor control, and lighting. It is used in high-power devices where efficient power management and control are required. -
Package
The FDMS86181 is a chip that comes in a Power 56 package type, with a form factor of SMD (Surface Mount Device). The package size is approximately 8.6 mm x 9.4 mm x 1 mm.
Fiche de données PDF
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