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ON FDMS86310
High power MOSFET
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: FDMS86310
Fiche de données: FDMS86310 Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: Power-56-8
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 2015 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureFDMS86310 Description générale
This N-Channel MOSFET has been designed specifically to improve the overall efficiency and to minimize switch node ringing of DC/DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers.It has been optimized for low gate charge, low rDS(on), fast switching speed and bodydiode reverse recovery performance.
Caractéristiques
- Max rDS(on) = 4.8 mΩ at VGS = 10 V, ID = 17 A
- Max rDS(on) = 6.7 mΩ at VGS = 8 V, ID = 14 A
- Advanced Package and Silicon combination for low rDS(on) and high efficiency
- Next generation enhanced body diode technology, engineered for soft recovery
- MSL1 robust package design
- 100% UIL tested
- RoHS Compliant
Application
- DC-DC Merchant Power Supply
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| REACH | Details | Technology | Si |
| Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | Power-56-8 |
| Transistor Polarity | N-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 80 V | Id - Continuous Drain Current | 17 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 6.7 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.4 V | Qg - Gate Charge | 95 nC |
| Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation | 96 W | Channel Mode | Enhancement |
| Tradename | PowerTrench | Series | FDMS86310 |
| Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Single |
| Height | 1.1 mm | Length | 6 mm |
| Product Type | MOSFET | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Width | 5 mm |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FDMS86310 chip is a power MOSFET device designed for high-performance and efficiency in electronic systems. It is commonly used for applications such as DC-DC converters, motor control, and power supplies. The chip offers low on-resistance, excellent thermal performance, and high voltage capability, making it suitable for a wide range of power management applications.
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Features
The FDMS86310 is a high-efficiency synchronous rectification MOSFET with integrated Schottky diode. It offers a low on-resistance optimized for low voltage applications and reduced power consumption, making it suitable for various power management applications. -
Pinout
The FDMS86310 is a 3-phase, 30 V, 9 mΩ power MOSFET. It has a pin count of 8, with functions including a Gate, Source, Drain, and Power Pad. -
Manufacturer
The manufacturer of the FDMS86310 is Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductor is a company that specializes in the design, development, and production of power semiconductors, integrated circuits, and analog & mixed-signal devices. -
Application Field
The FDMS86310 is a power MOSFET that is commonly used in various applications such as power supplies, motor controls, and automotive systems. It is designed to handle high current and voltage levels efficiently, making it suitable for applications that require high power and reliable performance. -
Package
The FDMS86310 chip has a package type of Power33, form of PQFN, and a size of 5 mm x 6 mm.
Fiche de données PDF
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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