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ON FDT457N
MOSFET SOT-223 N-CH 30V
Marques: ON Semiconductor, LLC
Pièce Fabricant #: FDT457N
Fiche de données: FDT457N Datasheet (PDF)
Colis/Caisse: SOT-223
type de produit: Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 3784 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureFDT457N Description générale
These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using a proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance. These products are well suited to low voltage, low current applications such as notebook computer power management, battery powered circuits, and DC motor control.
Caractéristiques
- 5 A, 30 V
RDS(ON) = 0.06 Ω @ VGS = 10 V
RDS(ON) = 0.090 Ω @ VGS = 4.5 V - High density cell design for extremely low RDS(ON)
- High power and current handling capability in a widely used surface mount package
Application
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Source Content uid | FDT457N | Pbfree Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Active | Ihs Manufacturer | ONSEMI |
| Manufacturer Package Code | 318H-01 | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Samacsys Manufacturer | onsemi |
| Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 30 V | Drain Current-Max (ID) | 5 A |
| Drain-source On Resistance-Max | 0.06 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G4 | JESD-609 Code | e3 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 4 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
| Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 3 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 16 A |
| Qualification Status | Not Qualified | Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
| Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
| Pin Count | 4 | Package Category | Other |
| Released Date | Oct 3, 2022 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FDT457N chip is a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) that operates as a high-speed switching device. It is commonly used in applications where efficient power management is required, such as in motor control, LED lighting, and power supplies. The chip offers low on-resistance and low gate charge, making it suitable for high-current and high-frequency applications.
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Features
The FDT457N is not a specific product or model that can be identified. It is likely a typo or an incorrect reference. Please provide more information or correct the model number to receive relevant features. -
Pinout
The FDT457N is a N-channel MOSFET transistor with a TO-252 package. It has three pins including gate, drain, and source. The pin count is 3 and the function of each pin is as follows: 1. Gate: Controls the flow of current through the transistor 2. Drain: Current flows out of the transistor through this pin 3. Source: Current flows into the transistor through this pin. -
Application Field
The FDT457N is commonly used in power electronics applications such as switch-mode power supplies, motor control systems, and industrial automation. It is specifically designed for high-current switching applications and provides efficient power management in various electronic devices. -
Package
The FDT457N chip has a surface mount package type with a form factor of SOT-223. Its size is typically 6.70mm (length) x 6.70mm (width) x 2.30mm (height).
Fiche de données PDF
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