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FDV303N
N-Channel Digital FET 25V, 0.68A, 0.45Ω
Marques: Onsemi
Pièce Fabricant #: FDV303N
Fiche de données: FDV303N Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-23-3
Statut RoHS:
État des stocks: 8 893 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 5 | $0,078 | $0,390 |
| 50 | $0,062 | $3,100 |
| 150 | $0,055 | $8,250 |
| 500 | $0,050 | $25,000 |
| 3000 | $0,046 | $138,000 |
| 6000 | $0,043 | $258,000 |
En stock: 8 893 PC
FDV303N Description générale
The FDV303N is a standout N-Channel enhancement mode field effect transistor that utilizes proprietary high cell density DMOS technology to minimize on-state resistance at low gate drive conditions. This design makes it an ideal choice for battery circuits using lithium, cadmium, or NMH cells. Its versatility extends to applications such as inverters and high-efficiency miniature discrete DC/DC conversion in portable electronic devices, offering exceptional performance even at gate drive voltages as low as 2.5 volts
Caractéristiques
- 25 V, 0.68 A continuous, 2 A Peak
- RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS= 4.5 V
- RDS(ON) = 0.6 Ω @ VGS= 2.7 V
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits. VGS(th) < 1.0V
- Gate-Source Zener for ESD ruggedness. >6kV Human Body Model
- Compact industry standard SOT-23 surface mount package
- Alternative to TN0200T and TN0201T
Application
- This product is general usage and suitable for many different applications.
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 25 V |
| Id - Continuous Drain Current | 680 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 450 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 8 V, + 8 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 650 mV |
| Qg - Gate Charge | 2.3 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 350 mW |
| Channel Mode | Enhancement | Series | FDV303N |
| Brand | onsemi / Fairchild | Configuration | Single |
| Fall Time | 8.5 ns | Forward Transconductance - Min | 1.45 S |
| Height | 1.2 mm | Length | 2.9 mm |
| Product | MOSFET Small Signals | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 8.5 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | MOSFET | Typical Turn-Off Delay Time | 17 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 3 ns | Width | 1.3 mm |
| Part # Aliases | FDV303N_NL |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The FDV303N is a low threshold N-channel enhancement mode MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for use in high-speed switching applications. It has a low threshold voltage making it ideal for low-voltage applications and features a compact small signal SOT-23 package. The FDV303N offers high performance and reliability for a wide range of electronic circuits.
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Equivalent
The equivalent products of the FDV303N chip are BC856B, BC856BT, BC856C, BC856CT, BC856BW, and BC856AW in SOT-523 package. These chips are general-purpose transistors with low voltage and high current capability, suitable for applications in amplification, switching, and voltage regulation circuits. -
Features
1. High gain 2. Low noise figure 3. Small signal gain 4. Wide bandwidth 5. Wide dynamic range 6. High linearity 7. High power handling 8. Low distortion 9. Surface mount package 10. Low cost -
Pinout
The FDV303N is a dual N-channel enhancement mode field-effect transistor (FET) with a pin count of 3. It functions as a low threshold voltage switch for control applications in portable equipment, battery management, and power management systems. -
Manufacturer
FDV303N is manufactured by ON Semiconductor, a global supplier of semiconductor solutions. They offer a comprehensive portfolio of energy-efficient power management, analog, sensors, logic, timing, connectivity, discrete, SoC, and custom devices for a wide range of industries including automotive, communications, consumer, industrial, medical, and aerospace. -
Application Field
- Industrial process control - Medical instrumentation - Automotive applications - Consumer electronics - Robotics - Home automation - Power management systems - Battery charging and management systems - Solar power systems - Temperature sensing and control systems -
Package
The FDV303N chip comes in a SOT-23 package, with a form of surface mount and a size of 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm.
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
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