Les images sont à titre de référence uniquement. Voir les spécifications du produit
Commandes de plus de
$5000
IGW75N60T
Insulated Gate Bipolar Transistor Chip, N-Channel, 600 Volts, 150 Amps, 428 Watts, TO-247 Package, Tube Packaging
Marques: Infineon Technologies
Pièce Fabricant #: IGW75N60T
Fiche de données: IGW75N60T Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247-3
Statut RoHS:
État des stocks: 7 925 pièces, nouveau original
type de produit: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $8,144 | $8,144 |
| 10 | $7,759 | $77,590 |
| 30 | $7,526 | $225,780 |
| 100 | $7,330 | $733,000 |
En stock: 7 925 PC
IGW75N60T Description générale
Hard-switching 600 V, 75 A single TRENCHSTOP™ IGBT3 in a TO-247 package, leads to significant improvement of static as well as dynamic performance of the device, due to combination of trench-cell and fieldstop concept. The combination of IGBT with soft recovery emitter controlled diode further minimizes the turn-on losses. The highest efficiency is reached due to the best compromise between switching and conduction losses.
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Series | TrenchStop® | Package | Tube |
| Product Status | Active | IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V | Current - Collector (Ic) (Max) | 150 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 225 A | Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 75A |
| Power - Max | 428 W | Switching Energy | 4.5mJ |
| Input Type | Standard | Gate Charge | 470 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 33ns/330ns | Test Condition | 400V, 75A, 5Ohm, 15V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 | Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
| Base Product Number | IGW75N60 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
-
![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
-
![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
-
![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
-
![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
-
![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
-
![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
-
The IGW75N60T is a high-power insulated-gate bipolar transistor (IGBT) chip designed for applications requiring high efficiency and reliability. It features a high current rating of 75A and a voltage rating of 600V, making it suitable for use in power electronics, motor drives, and energy conversion systems. The chip's insulated gate structure provides improved performance and reliability compared to traditional bipolar transistors.
-
Equivalent
The equivalent products of IGW75N60T chip are Infineon/IRGP4062DPbF, Fairchild/AOI75N60, TO-3P, and 650V, 120A, Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) modules. These products have similar specifications and can be used as replacements for the IGW75N60T chip. -
Features
1. High voltage insulated gate bipolar transistor (IGBT) 2. Low on-state voltage drop for high efficiency 3. Low switching losses for improved performance 4. Fast switching speed for high frequency applications 5. Integrated anti-parallel diode for reliable operation 6. High surge current capability 7. 75A/600V rating for industrial applications. -
Pinout
The IGW75N60T is a IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) with a TO-247 package. It has 3 pins: Gate (G), Collector (C), and Emitter (E). The pinout is Gate (G) = pin 1, Collector (C) = pin 2, Emitter (E) = pin 3. -
Manufacturer
The manufacturer of the IGW75N60T is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor company that produces a wide range of products including power semiconductors, microcontrollers, and sensors. Infineon Technologies AG is a global leader in the semiconductor industry with a focus on technologies for automotive, industrial, and power management applications. -
Application Field
IGW75N60T is commonly used in applications such as induction heating, welding, and motor control due to its high voltage and current capabilities. It is also utilized in power supplies, inverters, and solar inverters for its efficient switching performance and low conduction losses. -
Package
The IGW75N60T chip comes in a TO-247 package type. It is in a standard form of a single insulated gate bipolar transistor (IGBT). The size of the chip is approximately 16.5mm x 21.5mm x 4.7mm.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
-
![Produit]( "Produit")
Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
-
![quantity]( "quantity")
La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
-
![shipping]( "shipping")
Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
-
![garantie]( "garantie")
Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits
