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$5000IPD031N06L3G
High-current 60V N-Channel Power MOSFET
Marques: Infineon Technologies
Pièce Fabricant #: IPD031N06L3G
Fiche de données: IPD031N06L3G Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-252-3,DPak(2Leads+Tab),SC-63
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 7 111 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IPD031N06L3G Description générale
Elevate your electronic designs with the IPD031N06L3G Power Field-Effect Transistor, a high-quality component that delivers exceptional performance. This N-Channel transistor features a current rating of 100A and a voltage rating of 60V, making it perfect for power management systems. Its low on-resistance of 0.0031ohm ensures efficient power delivery and reliable operation in demanding circuit applications. The TO-252AA package, constructed with Green Plastic material, provides a sturdy and environmentally friendly housing solution for the transistor. With its Silicon Metal-oxide Semiconductor FET design and 3 PIN configuration, the IPD031N06L3G is easy to integrate into circuit designs for seamless functionality
Caractéristiques
Fast switching MOSFET for SMPS
Optimized technology for DC/DC converters
Qualified according to JEDEC1) for target applications
N-channel, logic level
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
Very low on-resistance R DS(on)
Avalanche rated
Pb-free plating; RoHS compliant
Halogen-free according to IEC61249-2-21 *
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Series | OptiMOS™ | Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 93µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 79 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13000 pF @ 30 V |
| Power Dissipation (Max) | 167W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IPD031N06L3G is a MOSFET power transistor chip designed for high power applications. It offers low conduction and switching losses, making it ideal for efficient power conversion in various electronic devices. With a high current rating and low Rds(on) value, this chip is suitable for use in motor control, power supplies, and other power management applications.
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Equivalent
Some equivalent products of IPD031N06L3G chip are IPI065N12N3G and IPI065N12N3 G. These products have similar specifications and can serve as alternative options for the IPD031N06L3G chip in various applications. -
Features
- IPD031N06L3G is a N-channel power MOSFET with low RDS(on) of 3.1mΩ - It can handle high current of up to 100A - Features a low gate charge of 30nC for fast switching - Suitable for high current applications such as motor control, power supplies, and inverters -
Pinout
The IPD031N06L3G is a MOSFET transistor with a pin count of 3. The functions of each pin are as follows: Pin 1 is the Gate, Pin 2 is the Drain, and Pin 3 is the Source. It is commonly used for switching and amplification in electronic circuits. -
Manufacturer
The manufacturer of the IPD031N06L3G is Infineon Technologies AG. Infineon is a German semiconductor company that produces a wide range of products including power semiconductors, sensors, and microcontrollers for various industries such as automotive, industrial, and consumer electronics. They are known for their innovative and high-quality products in the semiconductor sector. -
Application Field
The IPD031N06L3G is a power MOSFET transistor primarily used in applications such as voltage regulators, motor control, and power management in electronic devices. It is commonly found in power supplies, battery management systems, and automotive electronics due to its high efficiency, fast switching speeds, and low on-resistance. -
Package
The IPD031N06L3G chip is available in a TO-252 package type. It is a MOSFET transistor that comes in a single form and size, measuring 10.1mm x 6.5mm x 2.5mm.
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