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IXTH80N65X2
Trans MOSFET N-CH 650V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Marques: IXYS
Pièce Fabricant #: IXTH80N65X2
Fiche de données: IXTH80N65X2 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-247-3
type de produit: MOSFET
Statut RoHS:
État des stocks: 9458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ajouter à la nomenclatureIXTH80N65X2 Description générale
Developed using the charge compensation principle and proprietary process technology, these new devices exhibit the lowest on-state resistances, along with low gate charges and superior dv/dt performance. Their avalanche capability also enhances the device ruggedness.In addition, thanks to the fast soft-recovery body diode, the Ultra-Junction MOSFETs help reduce switching losses and electromagnetic interference (EMI).
Caractéristiques
- Ultra low on-resistance R
- DS(ON)
- and gate charge Q
- g
- Fast body diode
- dv/dt ruggedness
- Avalanche rated
- Low package inductance
- International standard packages
- Advantages:
- Higher efficiency
- High power density
- Easy to mount
- Space savings
Application
- Industrial switched-mode and resonantmode power supplies
- Electric vehicle battery chargers
- AC and DC motor drives
- DC-DC converters
- Renewable-energy inverters
- Power Factor Correction (PFC) circuits
- Robotics and servo control
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | IXYS | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | Through Hole | Package / Case: | TO-247-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V | Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 38 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.7 V | Qg - Gate Charge: | 137 nC |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 890 W | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | HiPerFET | Packaging: | Tube |
| Brand: | IXYS | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 7 ns | Product Type: | MOSFET |
| Rise Time: | 11 ns | Factory Pack Quantity: | 30 |
| Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 72 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 36 ns |
| Unit Weight: | 0.211644 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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