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$5000IXTM21N50
1 Amps MOSFET with 500V and 0.23 Rds
Marques: ixys
Pièce Fabricant #: IXTM21N50
Fiche de données: IXTM21N50 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: TO-204AE-3
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Statut RoHS:
État des stocks: 5 333 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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IXTM21N50 Description générale
When it comes to power switching systems, the IXTM21N50 High Voltage MOSFET stands out for its versatility and robustness. Its N-Channel design ensures efficient power switching, while its high voltage and current ratings make it suitable for a wide range of applications. From high-voltage power supplies to pulse circuits, this MOSFET offers reliable performance in diverse settings, making it a popular choice among engineers and designers
Caractéristiques
- Pulse width modulation
- High efficiency driver
- Advanced gate technology
- Compliant with AEC-Q101
- Reduced power consumption
Application
- Advanced technology
- Fast response time
- Long-lasting performance
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-204AE-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Id - Continuous Drain Current | 21 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 250 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 300 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | MegaMOS |
| Brand | IXYS | Configuration | Single |
| Fall Time | 30 ns | Forward Transconductance - Min | 21 S |
| Height | 11.4 mm | Length | 39.12 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 33 ns |
| Factory Pack Quantity | 20 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 65 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 24 ns | Width | 26.66 mm |
| Unit Weight | 0.229281 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The IXTM21N50 is a high voltage, high current N-channel MOSFET chip designed for use in power applications. It features a maximum drain-source voltage of 500V and a continuous drain current of 21A, making it suitable for a wide range of industrial and high power applications. The chip is designed to provide efficient power switching with low on-state resistance and fast switching speeds.
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Equivalent
The equivalent products of IXTM21N50 chip are Infineon IPP60R125CPXKSA1, ON Semiconductor NTP60N06G, and Fairchild FDMS9604S. These chips are all power MOSFETs designed for applications where high efficiency and high power density are required. -
Features
1. 250V N-channel enhancement mode power MOSFET 2. Ultra low on-resistance 3. High current handling capability 4. Fast switching speed for efficient power conversion 5. Low gate charge for reduced switching losses 6. Avalanche rated for rugged and reliable performance in harsh environments. -
Pinout
IXTM21N50 is a Power MOSFET with a pin count of three. It functions as a high-voltage, high-performance N-channel MOSFET suitable for various power switching applications. -
Manufacturer
IXTM21N50 is manufactured by IXYS Corporation. IXYS Corporation is a global semiconductor company that specializes in the development and production of power semiconductors, integrated circuits, and other electronic components. They provide products for a wide range of industries, including automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. -
Application Field
IXTM21N50 is commonly used in power supplies, motor control, and lighting applications due to its high voltage and current capabilities. It can also be used in inverters, converters, and voltage regulators where high performance is required. Additionally, it is suitable for industrial and automotive applications that demand high reliability and efficiency. -
Package
The IXTM21N50 chip is a power MOSFET with a TO-247 package type. It comes in a standard form factor with a size of 16.51mm x 10.62mm x 5.84mm, making it suitable for high power applications.
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