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$5000K4B1G1646G-BCK0
DDR DRAM, 64MX16, 0.225ns, CMOS, PBGA96
Marques: SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
Pièce Fabricant #: K4B1G1646G-BCK0
Fiche de données: K4B1G1646G-BCK0 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: FBGA-96
type de produit: DRAMs
Statut RoHS:
État des stocks: 6 554 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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Ovaga dispose d'un stock important de K4B1G1646G-BCK0 DRAMs depuis SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC et nous garantissons qu'il s'agit de pièces originales et neuves provenant directement de SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC Nous pouvons fournir des rapports de tests de qualité pour K4B1G1646G-BCK0 à votre demande. Pour obtenir un devis, remplissez simplement la quantité requise, le nom du contact et l'adresse e-mail dans le formulaire de devis rapide à droite. Notre représentant commercial vous contactera dans les 12 heures.
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Pbfree Code | Yes | Rohs Code | Yes |
| Part Life Cycle Code | Obsolete | Ihs Manufacturer | SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC |
| Package Description | FBGA, BGA96,9X16,32 | Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN Code | EAR99 | HTS Code | 8542.32.00.32 |
| Access Time-Max | 0.225 ns | Clock Frequency-Max (fCLK) | 800 MHz |
| I/O Type | COMMON | Interleaved Burst Length | 4,8 |
| JESD-30 Code | R-PBGA-B96 | JESD-609 Code | e3 |
| Memory Density | 1073741824 bit | Memory IC Type | DDR3 DRAM |
| Memory Width | 16 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Terminals | 96 | Number of Words | 67108864 words |
| Number of Words Code | 64000000 | Organization | 64MX16 |
| Output Characteristics | 3-STATE | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Code | FBGA | Package Equivalence Code | BGA96,9X16,32 |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Power Supplies | 1.5 V |
| Qualification Status | Not Qualified | Refresh Cycles | 8192 |
| Sequential Burst Length | 4,8 | Standby Current-Max | 0.01 A |
| Supply Current-Max | 0.195 mA | Supply Voltage-Nom (Vsup) | 1.5 V |
| Surface Mount | YES | Technology | CMOS |
| Terminal Finish | MATTE TIN | Terminal Form | BALL |
| Terminal Pitch | 0.8 mm |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
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![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The K4B1G1646G-BCK0 chip is a DDR3 SDRAM manufactured by Samsung. It has a capacity of 1Gb (Gigabit) and operates at a speed of 1600MHz. It is commonly used in various electronic devices like computers, laptops, and gaming consoles for memory storage and data processing.
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Equivalent
The K4B1G1646G-BCK0 chip is a 1Gb DDR3 SDRAM manufactured by Samsung. Equivalent products include Micron MT41J256M8HX-15E and Hynix H5TQ1G83BFR. They share similar specifications and functionality, compatible with various electronic devices such as computers, smartphones, and embedded systems. -
Features
The K4B1G1646G-BCK0 is a DDR3 SDRAM chip with a capacity of 1Gb (128MB) and operates at 1.5V. It features a speed of 1866MHz (PC3-14900) and supports burst lengths of 4 and 8. The chip is organized as 8 banks of 2M x 16. -
Pinout
The K4B1G1646G-BCK0 is a 78-pin BGA DDR3 SDRAM chip with a capacity of 1GB. The pin functions include power supply, address inputs, data inputs/outputs, control signals, and clock inputs. It is commonly used in computer systems and other electronic devices for high-speed data processing and storage. -
Manufacturer
Samsung is the manufacturer of the K4B1G1646G-BCK0. It's a South Korean multinational conglomerate known for its electronics, including semiconductors, memory chips, and consumer electronics. Samsung operates in various sectors such as information technology, construction, and finance, making it one of the world's largest technology companies. -
Application Field
The K4B1G1646G-BCK0 is a DDR3 SDRAM chip typically used in various electronic devices like laptops, desktop computers, servers, networking equipment, and consumer electronics. Its applications include memory modules, graphics cards, motherboards, and embedded systems, contributing to efficient data processing and storage in these devices. -
Package
The K4B1G1646G-BCK0 chip is a DDR3 SDRAM chip. It comes in a 96-ball FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) package, with a form factor of 13.5mm x 9mm. The size of the chip is 8 Gigabits (1 Gigabyte).
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