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K4H561638H-UCB3

PDSO66 DDR DRAM 16MX16 0.7ns CMOS

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: Samsung

Pièce Fabricant #: K4H561638H-UCB3

Fiche de données: K4H561638H-UCB3 Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: TSSOP66

type de produit: MCU

Statut RoHS:

État des stocks: 4350 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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Citation courte

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K4H561638H-UCB3 Description générale

The K4H561638H-UCB3 is a synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) module manufactured by Samsung. It features a capacity of 512 megabytes (MB) organized as 4 banks of 4 megabit (Mbit) x 16 bits. Operating at a voltage of 2.5 volts (V), it supports high-speed data transfer rates up to 166 megatransfers per second (MT/s). This memory module utilizes a double data rate (DDR) interface, enabling it to transfer data on both the rising and falling edges of the clock signal, effectively doubling the data transfer rate compared to traditional SDRAM.With a CAS latency of 3 clock cycles, this module offers fast access times, enhancing overall system performance. It conforms to the JEDEC standard and is designed for use in computing systems such as desktop PCs, laptops, and servers. The K4H561638H-UCB3 incorporates advanced features like auto precharge and auto refresh to optimize memory management and reliability. Its compact form factor and low power consumption make it suitable for various computing applications where high-speed and efficient memory access are essential

Caractéristiques

  • 16M x 16 DDR2 SDRAM
  • High-speed data transfer rates up to 400Mbps
  • Double data rate architecture
  • Operates at a power supply voltage of 1.8V
  • Programmable CAS latency
  • JEDEC standard 60-ball FBGA package

Application

  • Mobile phones
  • Tablets
  • Internet of Things (IoT) devices
  • Wearable technology
  • Smart home devices
  • Automotive electronics
  • Digital cameras
  • Industrial applications
  • Medical devices
  • Military and aerospace systems

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Pbfree Code Yes Rohs Code Yes
Part Life Cycle Code Obsolete Ihs Manufacturer SAMSUNG SEMICONDUCTOR INC
ECCN Code EAR99 HTS Code 8542.32.00.24
Samacsys Manufacturer SAMSUNG Access Time-Max 0.7 ns
Clock Frequency-Max (fCLK) 166 MHz I/O Type COMMON
Interleaved Burst Length 2,4,8 JESD-30 Code R-PDSO-G66
JESD-609 Code e6 Memory Density 268435456 bit
Memory IC Type DDR1 DRAM Memory Width 16
Moisture Sensitivity Level 3 Number of Terminals 66
Number of Words 16777216 words Number of Words Code 16000000
Operating Temperature-Max 70 °C Organization 16MX16
Output Characteristics 3-STATE Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Code TSSOP Package Equivalence Code TSSOP66,.46
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
Peak Reflow Temperature (Cel) 260 Power Supplies 2.3 V
Qualification Status Not Qualified Refresh Cycles 8192
Sequential Burst Length 2,4,8 Standby Current-Max 0.003 A
Supply Current-Max 0.33 mA Supply Voltage-Nom (Vsup) 2.3 V
Surface Mount YES Technology CMOS
Temperature Grade COMMERCIAL Terminal Finish TIN BISMUTH
Terminal Form GULL WING Terminal Pitch 0.635 mm
Terminal Position DUAL

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The K4H561638H-UCB3 chip is a high-density synchronous dynamic random-access memory (SDRAM) chip commonly used in electronics such as smartphones, tablets, and other devices. It offers fast data transfer speeds and high storage capacity, making it ideal for demanding applications that require quick and efficient data processing.
  • Equivalent

    The equivalent products of K4H561638H-UCB3 chip are Hynix HY5PS1G831C and Samsung K4H511638G-LCCC chips. They have similar specifications and can be used as alternatives for the K4H561638H-UCB3 chip.
  • Features

    The K4H561638H-UCB3 is a 512MB DDR SDRAM module with a 64Mx64 configuration. It operates at a high-speed clock frequency of 166MHz and is organized as a 4-bank / 4-bank x 8,192 refresh (8,192 cycle), with a 64ms. The module supports 400MHz and is ideal for applications requiring high-speed memory functionality.
  • Pinout

    The K4H561638H-UCB3 is a 512Mb DDR SDRAM chip with a 66-pin package. It has a 66-pin ball grid array (BGA) configuration and is used in computer memory modules. The pin functions include power supply, address inputs, data inputs/outputs, clock inputs, and control signals.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the K4H561638H-UCB3 is Samsung. Samsung is a South Korean multinational conglomerate company that specializes in electronics, mobile devices, semiconductors, and other technology products. Samsung is one of the largest technology companies in the world and a leading producer of memory chips and other semiconductor components.
  • Application Field

    The K4H561638H-UCB3 is a 512MB DDR SDRAM module commonly used in desktop computers, laptops, networking equipment, and industrial applications. It is particularly suitable for high-performance computing tasks such as gaming, multimedia editing, and graphics rendering.
  • Package

    The K4H561638H-UCB3 chip comes in a Ball Grid Array (BGA) package. It is in the form of a memory module and has a size of 54mm x 90mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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