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$5000L2N7002DW1T1G
Tape and Reel Packaged Dual N-Channel MOSFET Array with 6-Pin SC-88 Package, 60V Voltage Rating and ±0.115A Current Rating
Marques: LESHAN RADIO CO LTD
Pièce Fabricant #: L2N7002DW1T1G
Fiche de données: L2N7002DW1T1G Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT363
Statut RoHS:
État des stocks: 9 230 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
Qté | Prix unitaire | Prix ext |
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20 | $0,022 | $0,440 |
200 | $0,017 | $3,400 |
600 | $0,015 | $9,000 |
3000 | $0,014 | $42,000 |
9000 | $0,012 | $108,000 |
21000 | $0,012 | $252,000 |
En stock: 9 230 PC
L2N7002DW1T1G Description générale
The L2N7002DW1T1G is a versatile dual N-channel MOSFET transistor specifically engineered for low voltage applications. With a maximum drain-source voltage of 60V and a continuous drain current of 115mA, this transistor is perfect for power-efficient devices like battery-powered electronics and portable gadgets. Its low threshold voltage of 1V makes it a top choice for applications operating at lower voltages, ensuring optimal performance
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
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Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Ihs Manufacturer | LESHAN RADIO CO LTD | Package Description | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 60 V |
Drain Current-Max (ID) | 0.115 A | Drain-source On Resistance-Max | 7.5 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Feedback Cap-Max (Crss) | 5 pF |
JESD-30 Code | R-PDSO-G6 | Number of Elements | 2 |
Number of Terminals | 6 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.38 W | Surface Mount | YES |
Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | DUAL |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED | Transistor Element Material | SILICON |
Product Category | MOSFET | Technology | Si |
Brand | onsemi | Product Type | MOSFET |
Subcategory | MOSFETs |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
---|---|---|---|
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours | |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Paiement
Modalités de paiement | Frais de main | |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
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Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The L2N7002DW1T1G is a MOSFET chip manufactured by On Semiconductor. It is used for switching electronic signals in low power applications such as portable devices and battery-powered systems. The chip has a voltage rating of 60V and a low on-resistance, making it ideal for use in power management circuits and other energy-efficient applications.
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Equivalent
The equivalent products of L2N7002DW1T1G chip are: 1. AO3401A 2. 2N7002LT1G 3. MMBT7002LT1G 4. ZXMN2A01E6TA 5. FDN338PZ These are all N-channel MOSFETs with similar specifications and package sizes. -
Features
The L2N7002DW1T1G is a small logic-level N-channel MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 60V, a maximum continuous drain current of 0.115A, and a low threshold voltage of 1.8V. It is ideal for use in various electronics applications that require fast switching speeds and low power consumption. -
Pinout
The L2N7002DW1T1G is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 6. Pin 1 and 6 are the source pins of each MOSFET while pin 2 and 5 are the gate pins and pin 3 and 4 are the drain pins. It is typically used in low power consumption and DC/DC converter applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the L2N7002DW1T1G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a global semiconductor supplier specializing in power management, analog, and sensor technology solutions. They provide innovative products for a variety of industries including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The L2N7002DW1T1G is commonly used as a low-power switch in various applications such as portable electronics, battery management systems, and small signal switching. It's often found in circuit designs requiring efficient control of low-voltage signals or power. -
Package
The L2N7002DW1T1G is a MOSFET transistor. It comes in a SOT-363 package, which is a small surface-mount package with three leads. The dimensions are typically around 2.00mm x 1.25mm x 1.00mm.
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