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L2N7002DW1T1G 48HRS

Tape and Reel Packaged Dual N-Channel MOSFET Array with 6-Pin SC-88 Package, 60V Voltage Rating and ±0.115A Current Rating

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: LESHAN RADIO CO LTD

Pièce Fabricant #: L2N7002DW1T1G

Fiche de données: L2N7002DW1T1G Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: SOT363

Statut RoHS:

État des stocks: 9 230 pièces, nouveau original

type de produit: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Tarifs

*Tous les prix sont en USD

Qté Prix unitaire Prix ext
20 $0,022 $0,440
200 $0,017 $3,400
600 $0,015 $9,000
3000 $0,014 $42,000
9000 $0,012 $108,000
21000 $0,012 $252,000

En stock: 9 230 PC

- +

Citation courte

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L2N7002DW1T1G Description générale

The L2N7002DW1T1G is a versatile dual N-channel MOSFET transistor specifically engineered for low voltage applications. With a maximum drain-source voltage of 60V and a continuous drain current of 115mA, this transistor is perfect for power-efficient devices like battery-powered electronics and portable gadgets. Its low threshold voltage of 1V makes it a top choice for applications operating at lower voltages, ensuring optimal performance

L2N7002DW1T1G

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Rohs Code Yes Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer LESHAN RADIO CO LTD Package Description SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code ECCN Code EAR99
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (ID) 0.115 A Drain-source On Resistance-Max 7.5 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Feedback Cap-Max (Crss) 5 pF
JESD-30 Code R-PDSO-G6 Number of Elements 2
Number of Terminals 6 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.38 W Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED Transistor Element Material SILICON
Product Category MOSFET Technology Si
Brand onsemi Product Type MOSFET
Subcategory MOSFETs

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.

Paiement

Modalités de paiement Frais de main
Virement bancaire Virement bancaire facturer des frais bancaires de 30,00 $ US.
Pay Pal Pay Pal facturer des frais de service de 4,0 %.
Carte de crédit Carte de crédit facturez des frais de service de 3,5%.
Western union Western union charge US.00 banking fee.
Paiement de Petit Montant Paiement de Petit Montant facturer des frais bancaires de 0,00 $ US.

Garanties

1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.

2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.

Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

    Étape2 :Emballage sous vide

  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

    Étape4 :Emballage individuel

  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • The L2N7002DW1T1G is a MOSFET chip manufactured by On Semiconductor. It is used for switching electronic signals in low power applications such as portable devices and battery-powered systems. The chip has a voltage rating of 60V and a low on-resistance, making it ideal for use in power management circuits and other energy-efficient applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of L2N7002DW1T1G chip are: 1. AO3401A 2. 2N7002LT1G 3. MMBT7002LT1G 4. ZXMN2A01E6TA 5. FDN338PZ These are all N-channel MOSFETs with similar specifications and package sizes.
  • Features

    The L2N7002DW1T1G is a small logic-level N-channel MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 60V, a maximum continuous drain current of 0.115A, and a low threshold voltage of 1.8V. It is ideal for use in various electronics applications that require fast switching speeds and low power consumption.
  • Pinout

    The L2N7002DW1T1G is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 6. Pin 1 and 6 are the source pins of each MOSFET while pin 2 and 5 are the gate pins and pin 3 and 4 are the drain pins. It is typically used in low power consumption and DC/DC converter applications.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the L2N7002DW1T1G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a global semiconductor supplier specializing in power management, analog, and sensor technology solutions. They provide innovative products for a variety of industries including automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    The L2N7002DW1T1G is commonly used as a low-power switch in various applications such as portable electronics, battery management systems, and small signal switching. It's often found in circuit designs requiring efficient control of low-voltage signals or power.
  • Package

    The L2N7002DW1T1G is a MOSFET transistor. It comes in a SOT-363 package, which is a small surface-mount package with three leads. The dimensions are typically around 2.00mm x 1.25mm x 1.00mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

  • garantie

    Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits

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