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SI7456DP-T1-E3
MOSFET capable of handling 9.3A current and 5.2W power at 100V
Marques: Vishay
Pièce Fabricant #: SI7456DP-T1-E3
Fiche de données: SI7456DP-T1-E3 Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: PowerPAK-SO-8
Statut RoHS:
État des stocks: 8 159 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 1 | $1,093 | $1,093 |
| 10 | $0,986 | $9,860 |
| 30 | $0,927 | $27,810 |
| 100 | $0,862 | $86,200 |
| 500 | $0,833 | $416,500 |
| 1000 | $0,819 | $819,000 |
En stock: 8 159 PC
SI7456DP-T1-E3 Description générale
The package includes important specifications like power dissipation, termination type, and voltage ratings. With a typical voltage Vds of 100V and a voltage Vgs Rds measurement of 10V, this MOSFET can handle high-power applications with ease. The SMD termination type ensures reliable connectivity in surface mount PCB designs
Caractéristiques
Application
Primary Side Switch for High Density DC/DC |Telecom/Server 48 V, Full-/Half-Bridge DC/DC |Industrial and 42 V Automotive DCaractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | PowerPAK-SO-8 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current | 9.3 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 25 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 4 V |
| Qg - Gate Charge | 36 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 5.2 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI7 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 26 ns |
| Forward Transconductance - Min | 35 S | Height | 1.04 mm |
| Length | 6.15 mm | Product Type | MOSFET |
| Rise Time | 10 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
| Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 46 ns | Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
| Width | 5.15 mm | Part # Aliases | SI7456DP-E3 |
| Unit Weight | 0.017870 oz |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
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Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The SI7456DP-T1-E3 is a power MOSFET component that is part of the Vishay Siliconix family. It is designed for use in switching applications in various electronic devices. This chip offers low on-resistance, high-speed switching capabilities, and is suitable for a wide range of voltage and current requirements.
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Equivalent
The equivalent products of the SI7456DP-T1-E3 chip are SI7456DP-T1-GE3 and SI7456DP-T1-RE3. These chips have similar specifications and functionality, making them suitable replacements for the SI7456DP-T1-E3 in various applications. -
Features
1. Low RDS(on) of 0.75 ohms 2. Low gate charge for improved efficiency 3. High peak current capability 4. Designed for automotive applications 5. RoHS compliant 6. Halogen-free 7. Low profile DPAK package (Note: This information is subject to change and may not be up to date.) -
Pinout
The SI7456DP-T1-E3 is a dual P-channel MOSFET with a pin count of 8. Pin functions include gate1, source1, drain1, gate2, source2, and drain2. It is commonly used in power management applications. -
Manufacturer
The SI7456DP-T1-E3 is manufactured by Vishay Intertechnology, Inc. Vishay is an American company that produces discrete semiconductors and passive electronic components. They specialize in components for a wide range of industries, including automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications. -
Application Field
The SI7456DP-T1-E3 is commonly used in high-speed communication protocols, such as Ethernet, SONET, and Fibre Channel. It is also suitable for applications in industrial automation, automotive electronics, and consumer electronics due to its low capacitance and high bandwidth capabilities for ESD protection. -
Package
The SI7456DP-T1-E3 chip comes in a DFN (Dual Flat No-Lead) package type, with a dual MOSFET form factor. The size of the chip is 3mm x 3mm in dimension.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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