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LBSS123LT1G
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.17A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-23, 3 PIN
Marques: LESHAN RADIO CO LTD
Pièce Fabricant #: LBSS123LT1G
Fiche de données: LBSS123LT1G Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SOT-23-3
Statut RoHS:
État des stocks: 8 685 pièces, nouveau original
type de produit: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 20 | $0,019 | $0,380 |
| 200 | $0,016 | $3,200 |
| 600 | $0,014 | $8,400 |
| 3000 | $0,013 | $39,000 |
| 9000 | $0,012 | $108,000 |
| 21000 | $0,011 | $231,000 |
En stock: 8 685 PC
Ovaga dispose d'un stock important de LBSS123LT1G Single FETs, MOSFETs depuis LESHAN RADIO CO LTD et nous garantissons qu'il s'agit de pièces originales et neuves provenant directement de LESHAN RADIO CO LTD Nous pouvons fournir des rapports de tests de qualité pour LBSS123LT1G à votre demande. Pour obtenir un devis, remplissez simplement la quantité requise, le nom du contact et l'adresse e-mail dans le formulaire de devis rapide à droite. Notre représentant commercial vous contactera dans les 12 heures.
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | LESHAN RADIO CO LTD | Package Description | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code | ECCN Code | EAR99 | |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 100 V |
| Drain Current-Max (ID) | 0.17 A | Drain-source On Resistance-Max | 6 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE | Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Power Dissipation-Max (Abs) | 0.225 W |
| Surface Mount | YES | Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| Transistor Element Material | SILICON |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
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![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
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![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
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![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
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![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The LBSS123LT1G chip is a low barrier Schottky diode designed for high frequency applications. It offers low forward voltage drop and fast switching performance, making it suitable for use in RF detectors, mixers, and high-speed switching circuits. This chip is compact and reliable, ensuring optimal performance in a range of electronic devices.
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Equivalent
The equivalent products of LBSS123LT1G chip are MMBD1201LT1G, MMBZ1205LT1G, MMBZ1207LT1G, MMBD7000LT1G, and MMBZ1230BLT1G. -
Features
LBSS123LT1G is a surface mount Schottky diode with a low forward voltage drop of 0.37V at 1A and a maximum reverse voltage of 30V. It has a forward current of 1A, a low leakage current of 10nA, and a fast switching speed of 6ns. -
Pinout
The LBSS123LT1G is a single P-channel MOSFET with a pin count of 3. The pins include the drain (D), gate (G), and source (S). The drain is the output terminal, the gate controls the flow of current, and the source is the input terminal. -
Manufacturer
The LBSS123LT1G is manufactured by ON Semiconductor. It is a multinational semiconductor company that specializes in designing and producing power management, analog, and discrete devices. ON Semiconductor caters to various industries including automotive, industrial, consumer electronics, and communications. -
Application Field
The LBSS123LT1G is a Schottky Barrier Diode primarily used in switching applications, voltage clamping, and protection circuits. It is commonly found in power supplies, motor control circuits, and high-frequency rectifiers. -
Package
The LBSS123LT1G chip is in a SOD-523 package type, with a form factor of surface mount. The chip measures approximately 1.0mm x 0.6mm x 0.4mm in size.
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Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
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