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MUN5233T1G

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 202 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)

ISO14001 ISO9001 DUNS

Marques: onsemi

Pièce Fabricant #: MUN5233T1G

Fiche de données: MUN5233T1G Fiche de données (PDF)

Colis/Caisse: SC-70-3

type de produit: Single, Pre-Biased Bipolar Transistors

Statut RoHS:

État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

Citation courte

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MUN5233T1G Description générale

Product MUN5233T1G is a cutting-edge solution for simplifying transistor circuit design. This digital transistor series is specifically engineered to replace a single device and its associated external resistor bias network. With the inclusion of a Bias Resistor Transistor (BRT), this innovative product boasts a monolithic bias network that features two integral resistors – a series base resistor and a base-emitter resistor

Caractéristiques

  • Increases Data Storage Capacity
  • Improves Network Performance
  • Simplifies System Installation
  • Reduces Error Rates

Caractéristiques

Paramètre Valeur Paramètre Valeur
Manufacturer: onsemi Product Category: Bipolar Transistors - Pre-Biased
RoHS: Details Configuration: Single
Transistor Polarity: NPN Typical Input Resistor: 4.7 kOhms
Typical Resistor Ratio: 0.1 Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: SC-70-3 DC Collector/Base Gain hfe Min: 80
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V Continuous Collector Current: 100 mA
Peak DC Collector Current: 100 mA Pd - Power Dissipation: 202 mW
Minimum Operating Temperature: - 55 C Maximum Operating Temperature: + 150 C
Series: MUN5233 Packaging: MouseReel
Brand: onsemi DC Current Gain hFE Max: 80
Height: 0.85 mm Length: 2.1 mm
Product Type: BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased Factory Pack Quantity: 3000
Subcategory: Transistors Width: 1.24 mm
Unit Weight: 0.000219 oz

Expédition

Type d'expédition Frais d'expédition Délai de mise en œuvre
DHL DHL $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
Fedex FedEx $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
UPS UPS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
TNT TNT $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
EMS EMS $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE $20.00-$40.00 (0.50 KG) 2-5 jours

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Emballage

  • Produit

    Étape1 :Produit

  • Emballage sous vide

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  • Sac antistatique

    Étape3 :Sac antistatique

  • Emballage individuel

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  • Boîtes d'emballage

    Étape5 :Boîtes d'emballage

  • étiquette d'expédition à code-barres

    Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres

Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.

L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.

Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.

Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.

  • ESD
  • ESD

Points de pièce

  • MUN5233T1G is a Schottky diode designed for high-speed switching applications in power supplies, inverters, and motor control. It offers low forward voltage drop and fast switching speed, making it ideal for high-efficiency circuits. Its compact size and high reliability make it suitable for a wide range of applications in automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Equivalent

    The MUN5233T1G chip's equivalents include MMBT5233LT1G, MMBT5233LT1, and MUN5233DW1T1G. These alternatives offer similar functionality and performance in various applications, providing options for design flexibility and availability.
  • Features

    MUN5233T1G is a NPN bipolar junction transistor (BJT) with a maximum collector current of 300mA, a maximum collector-emitter voltage of 50V, and a maximum power dissipation of 350mW. It is designed for general-purpose amplifier and switching applications.
  • Pinout

    The MUN5233T1G is a dual NPN transistor in a SOT-23 package. It has three pins: emitter, base, and collector. It is commonly used in amplification and switching applications due to its small size and high current capability.
  • Manufacturer

    The MUN5233T1G is manufactured by ON Semiconductor, a multinational semiconductor supplier. ON Semiconductor produces a wide range of power management, analog, logic, discrete, and custom devices for various applications including automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    The MUN5233T1G is commonly used in applications such as voltage regulation, power management, and DC-DC conversion in portable electronic devices, consumer electronics, automotive systems, and industrial control systems. It is also ideal for use in power supply modules, battery chargers, and LED drivers.
  • Package

    The MUN5233T1G is a bipolar transistor in a SOT-323 package, which is a small surface-mount package. The dimensions typically range around 2.1mm x 1.3mm x 1mm.

Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente

  • Produit

    Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.

  • quantity

    La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.

  • shipping

    Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $

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