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$5000MUN5233T1G
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 202 mW Surface Mount SC-70-3 (SOT323)
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Marques: onsemi
Pièce Fabricant #: MUN5233T1G
Fiche de données: MUN5233T1G Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: SC-70-3
type de produit: Single, Pre-Biased Bipolar Transistors
Statut RoHS:
État des stocks: 9 458 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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MUN5233T1G Description générale
Product MUN5233T1G is a cutting-edge solution for simplifying transistor circuit design. This digital transistor series is specifically engineered to replace a single device and its associated external resistor bias network. With the inclusion of a Bias Resistor Transistor (BRT), this innovative product boasts a monolithic bias network that features two integral resistors – a series base resistor and a base-emitter resistor
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Caractéristiques
- Increases Data Storage Capacity
- Improves Network Performance
- Simplifies System Installation
- Reduces Error Rates
Caractéristiques
Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
---|---|---|---|
Manufacturer: | onsemi | Product Category: | Bipolar Transistors - Pre-Biased |
RoHS: | Details | Configuration: | Single |
Transistor Polarity: | NPN | Typical Input Resistor: | 4.7 kOhms |
Typical Resistor Ratio: | 0.1 | Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SC-70-3 | DC Collector/Base Gain hfe Min: | 80 |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V | Continuous Collector Current: | 100 mA |
Peak DC Collector Current: | 100 mA | Pd - Power Dissipation: | 202 mW |
Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
Series: | MUN5233 | Packaging: | MouseReel |
Brand: | onsemi | DC Current Gain hFE Max: | 80 |
Height: | 0.85 mm | Length: | 2.1 mm |
Product Type: | BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased | Factory Pack Quantity: | 3000 |
Subcategory: | Transistors | Width: | 1.24 mm |
Unit Weight: | 0.000219 oz |
Expédition
Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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MUN5233T1G is a Schottky diode designed for high-speed switching applications in power supplies, inverters, and motor control. It offers low forward voltage drop and fast switching speed, making it ideal for high-efficiency circuits. Its compact size and high reliability make it suitable for a wide range of applications in automotive, industrial, and consumer electronics.
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Equivalent
The MUN5233T1G chip's equivalents include MMBT5233LT1G, MMBT5233LT1, and MUN5233DW1T1G. These alternatives offer similar functionality and performance in various applications, providing options for design flexibility and availability. -
Features
MUN5233T1G is a NPN bipolar junction transistor (BJT) with a maximum collector current of 300mA, a maximum collector-emitter voltage of 50V, and a maximum power dissipation of 350mW. It is designed for general-purpose amplifier and switching applications. -
Pinout
The MUN5233T1G is a dual NPN transistor in a SOT-23 package. It has three pins: emitter, base, and collector. It is commonly used in amplification and switching applications due to its small size and high current capability. -
Manufacturer
The MUN5233T1G is manufactured by ON Semiconductor, a multinational semiconductor supplier. ON Semiconductor produces a wide range of power management, analog, logic, discrete, and custom devices for various applications including automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The MUN5233T1G is commonly used in applications such as voltage regulation, power management, and DC-DC conversion in portable electronic devices, consumer electronics, automotive systems, and industrial control systems. It is also ideal for use in power supply modules, battery chargers, and LED drivers. -
Package
The MUN5233T1G is a bipolar transistor in a SOT-323 package, which is a small surface-mount package. The dimensions typically range around 2.1mm x 1.3mm x 1mm.
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