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$5000MUN5335DW1T1G
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
Marques: onsemi
Pièce Fabricant #: MUN5335DW1T1G
Fiche de données: MUN5335DW1T1G Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
type de produit: Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
Statut RoHS:
État des stocks: 5 693 pièces, nouveau original
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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MUN5335DW1T1G Description générale
The MUN5335DW1T1G digital transistor exemplifies the evolution of electronic components towards greater integration and efficiency. Its innovative design not only simplifies circuitry but also enhances overall system reliability by reducing the number of discrete components. With the BRT technology, engineers can achieve higher levels of functionality in a compact form factor, opening up new possibilities for electronic device designs
Caractéristiques
- Simplified Maintenance Process
- Reduced Downtime Risk
- Improved System Reliability
- Increased Productivity
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Status | Active | Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 2.2kOhms | Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA | Power - Max | 250mW |
| Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
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Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
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Western union | charge US.00 banking fee. |
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Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
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Emballage
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Étape1 :Produit
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Étape2 :Emballage sous vide
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Étape3 :Sac antistatique
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Étape4 :Emballage individuel
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Étape5 :Boîtes d'emballage
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Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
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L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
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The MUN5335DW1T1G chip is a highly efficient power transistor designed for use in automotive applications. It offers excellent thermal performance, high reliability, and low on-resistance, making it ideal for use in DC-DC converter circuits and other power management applications.
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Equivalent
The equivalent products of MUN5335DW1T1G chip are ON Semiconductor’s MC33390 and MC33389. These products are all highly integrated power management chips suitable for automotive and industrial applications. They offer overvoltage protection, undervoltage lockout, and thermal protection features, making them ideal for a range of power management needs. -
Features
The MUN5335DW1T1G is a 350V N-channel power MOSFET with a maximum operating temperature of 175°C. It has a low on-resistance of 330 mΩ and a high drain-source voltage rating. This MOSFET is designed for high power applications in systems where efficiency and reliability are crucial. -
Pinout
The MUN5335DW1T1G is a Dual N-Channel 60V MOSFET with a pin count of 8. Pin configuration: 1 - Gate (1), 2 - Source (1), 3 - Drain (1), 4 - Source (2), 5 - Gate (2), 6 - Drain (2), 7 - Source (3), 8 - Drain (3). It is used for power management applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the MUN5335DW1T1G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a global supplier of semiconductor-based solutions, providing a comprehensive portfolio of energy efficient power management, analog, sensors, logic, timing, connectivity, discrete, SoC, and custom devices. Their products are used in a wide range of applications in the automotive, industrial, communications, and consumer markets. -
Application Field
The MUN5335DW1T1G is commonly used in automotive applications for motor drive control, power supplies, and battery management systems. It is also employed in industrial applications such as inverters, power tools, and welding machines. Additionally, it can be found in consumer electronics like TVs, computers, and household appliances for power management. -
Package
The MUN5335DW1T1G chip comes in a surface mount package type with a dual NPN digital transistor configuration. It has a form of tape and reel packaging and a size of 2.2mm x 2.1mm x 1mm.
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