Les images sont à titre de référence uniquement. Voir les spécifications du produit
Commandes de plus de
$5000
MUN5333DW1T1G
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA Complementary 50V NPN & PNP
Marques: onsemi
Pièce Fabricant #: MUN5333DW1T1G
Fiche de données: MUN5333DW1T1G Fiche de données (PDF)
Colis/Caisse: 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
Statut RoHS:
État des stocks: 7 141 pièces, nouveau original
type de produit: Bipolar Transistor Arrays, Pre-Biased
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*Tous les prix sont en USD
| Qté | Prix unitaire | Prix ext |
|---|---|---|
| 10 | $0,044 | $0,440 |
| 100 | $0,036 | $3,600 |
| 300 | $0,032 | $9,600 |
| 3000 | $0,029 | $87,000 |
| 6000 | $0,027 | $162,000 |
| 9000 | $0,026 | $234,000 |
En stock: 7 141 PC
MUN5333DW1T1G Description générale
The MUN5333DW1T1G is a game-changing product in the world of digital transistors. This innovative series is designed to simplify the process of replacing a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistor (BRT) features a single transistor with a monolithic bias network that includes two resistors; a series base resistor and a base-emitter resistor. By integrating these individual components into a single device, the BRT eliminates the need for separate external resistors and significantly reduces the complexity of the circuitry
Caractéristiques
- Saves Power Consumption
- Reduces Component Count
- Enhances Performance
- Faster Time-to-Market
Caractéristiques
| Paramètre | Valeur | Paramètre | Valeur |
|---|---|---|---|
| Product Status | Active | Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA | Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 4.7kOhms | Resistor - Emitter Base (R2) | 47kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA | Power - Max | 250mW |
| Mounting Type | Surface Mount | Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Supplier Device Package | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Expédition
| Type d'expédition | Frais d'expédition | Délai de mise en œuvre | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
FedEx | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
 |
LA POSTE AÉRIENNE ENREGISTRÉE | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 jours |
Délai de traitement : les frais d'expédition dépendent des différentes zones et pays.
Paiement
| Modalités de paiement | Frais de main | |
|---|---|---|
 |
Virement bancaire | facturer des frais bancaires de 30,00 $ US. |
 |
Pay Pal | facturer des frais de service de 4,0 %. |
 |
Carte de crédit | facturez des frais de service de 3,5%. |
 |
Western union | charge US.00 banking fee. |
 |
Paiement de Petit Montant | facturer des frais bancaires de 0,00 $ US. |
Garanties
1. Les composants électroniques que vous achetez incluent une garantie de 365 jours, nous garantissons la qualité du produit.
2. Si certains des articles que vous avez reçus ne sont pas de qualité parfaite, nous organiserons de manière responsable votre remboursement ou votre remplacement. Mais les articles doivent rester dans leur état d’origine.
Emballage
-
![Produit]( "Produit")
Étape1 :Produit
-
![Emballage sous vide]( "Emballage sous vide")
Étape2 :Emballage sous vide
-
![Sac antistatique]( "Sac antistatique")
Étape3 :Sac antistatique
-
![Emballage individuel]( "Emballage individuel")
Étape4 :Emballage individuel
-
![Boîtes d'emballage]( "Boîtes d'emballage")
Étape5 :Boîtes d'emballage
-
![étiquette d'expédition à code-barres]( "étiquette d'expédition à code-barres")
Étape6 :étiquette d'expédition à code-barres
Tous les produits seront emballés dans un sac antistatique. Expédié avec une protection antistatique ESD.
L'étiquette de l'emballage extérieur ESD utilisera les informations de notre société : numéro de pièce, marque et quantité.
Nous inspecterons toutes les marchandises avant expédition, garantirons que tous les produits sont en bon état et que les pièces sont neuves et correspondent à la fiche technique originale.
Une fois que toutes les marchandises sont garanties sans problème après l'emballage, nous les emballerons en toute sécurité et les enverrons par Global Express. Il présente une excellente résistance à la perforation et à la déchirure ainsi qu’une bonne intégrité du joint.
Points de pièce
-
MUN5333DW1T1G is a power transistor module designed for high-speed switching applications. It features low switching losses, high switching speed, and high input impedance. This device is typically used in power supplies, motor control, and inverters.
-
Equivalent
Some equivalent products of MUN5333DW1T1G chip are STMICROELECTRONICS - MUN5331DW1T1G and Infineon IDT MUN5333DW1T1G. These chips have similar specifications and functions, making them suitable replacements for each other in various electronic applications. -
Features
MUN5333DW1T1G is a N-channel, 30V, 6.5mΩ logic level MOSFET with a compact, low-profile, and high-performance design. It features fast switching speeds, low gate charge, and a low on-resistance suitable for a wide range of applications, including power management and motor control systems. -
Pinout
The MUN5333DW1T1G is a 6-pin dual N-channel MOSFET used for switch mode power supplies and motor control applications. Pin 1 is the gate of FET1, Pin 2 is the source of FET1 and source of FET2, Pin 3 is the drain of FET2, Pin 4 is the drain of FET1, Pin 5 is the gate of FET2, and Pin 6 is the substrate. -
Manufacturer
The manufacturer of the MUN5333DW1T1G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a multinational semiconductor supplier company that offers a comprehensive portfolio of energy-efficient power and signal management, logic, discrete, and custom devices for automotive, communications, computing, consumer, industrial, medical, and aerospace/defense applications. -
Application Field
The MUN5333DW1T1G is typically used in applications where high efficiency and small form factor are required, such as power management in portable devices, LED lighting, and battery charging circuits. Its low on-resistance and low gate charge make it suitable for applications where high power density and energy efficiency are key factors. -
Package
The MUN5333DW1T1G chip comes in a DFN-8 package, with dimensions of 2mm x 2mm x 0.95mm.
Nous fournissons des produits de haute qualité, un service attentionné et une garantie après-vente
-
![Produit]( "Produit")
Nous avons des produits riches, pouvons répondre à vos différents besoins.
-
![quantity]( "quantity")
La quantité minimum de commande commence à partir de 1 pièce.
-
![shipping]( "shipping")
Les frais d'expédition internationaux les plus bas commencent à partir de 0,00 $
-
![garantie]( "garantie")
Garantie de qualité de 365 jours pour tous les produits
